GlobalFoundries lizenziert GaN-Technologie von TSMC
GlobalFoundries (GF) hat eine Technologielizenzvereinbarung mit TSMC über 650-V- und 80-V-Galliumnitrid-(GaN)-Technologien unterzeichnet. Ziel der Kooperation ist es, die Entwicklung der nächsten Generation von GaN-Leistungsprodukten für Rechenzentren, Industrieanwendungen und die Automobilbranche zu beschleunigen und gleichzeitig GaN-Fertigungskapazitäten in den USA für Kunden weltweit bereitzustellen.
Da herkömmliche Silizium-CMOS-Technologien an ihre Leistungsgrenzen stoßen, gilt GaN als Schlüsseltechnologie für effizientere, kompaktere und leistungsstärkere Stromversorgungssysteme. GlobalFoundries entwickelt derzeit ein umfassendes GaN-Portfolio, das Hochvolt- und Niedervolt-Anwendungen (650 V und 80 V) umfasst – unter anderem für Elektrofahrzeuge, Rechenzentren, erneuerbare Energiesysteme und Schnellladegeräte.
Die lizenzierte Technologie soll im GF-Werk in Burlington, Vermont, qualifiziert werden. Das Werk verfügt über langjährige Erfahrung in GaN-on-Silicon-Technologien und soll die Serienproduktion ab Ende 2026 aufnehmen, nach einer Entwicklungsphase ab Anfang 2026.
„Diese Vereinbarung unterstreicht das Engagement von GlobalFoundries für Innovation und den Fokus auf differenzierte Technologien, die für moderne Leistungsbauelemente entscheidend sind“, sagte Téa Williams, Senior Vice President Power Business bei GlobalFoundries.
