Renesas unterstützt 800-Volt-Architektur für KI-Rechenzentren
Renesas Electronics hat angekündigt, seine Leistungshalbleiterlösungen auf die von NVIDIA vorgeschlagene 800-Volt-Gleichstromarchitektur für künftige KI-Rechenzentren auszurichten. Ziel ist es, die Energieeffizienz und Leistungsdichte in großskaligen Dateninfrastrukturen deutlich zu erhöhen.
Das Unternehmen setzt dabei auf Halbleitertechnologien auf Basis von Gallium-Nitrid (GaN) und erweitert sein Portfolio um Komponenten für AC/DC- und DC/DC-Wandlung innerhalb von Hochspannungs- und Niederspannungspfaden. Durch den Einsatz von DC/DC-Wandlern auf Basis der LLC-DCX-Topologie sollen Wirkungsgrade von bis zu 98 Prozent erreicht werden.
Im AC/DC-Front-End plant Renesas bidirektionale GaN-Schalter, um den Energiefluss zu vereinfachen und Leistungsverluste zu reduzieren. Ergänzt wird das System durch REXFET-MOSFETs sowie passende Treiber- und Steuer-ICs, wodurch eine vollständige Plattform für Hochleistungsrechenzentren entsteht.
Mit der Unterstützung der 800-Volt-Architektur reagiert Renesas auf die steigenden Anforderungen von KI-Workloads, bei denen hohe Strombedarfe und begrenzter Bauraum neue Lösungen in der Energieverteilung erfordern. Die Technologie soll Betreibern ermöglichen, Kupferverluste zu senken und die Rack-Infrastruktur kompakter zu gestalten.
Renesas stärkt damit seine Position als Anbieter für Leistungshalbleiter in kritischen Rechenzentrumsanwendungen und orientiert sich strategisch an der nächsten Generation vernetzter KI-Systeme.