Cambridge GaN Devices kooperiert mit GlobalFoundries für ICeGaN-Leistungschips
Das britische Halbleiterunternehmen Cambridge GaN Devices (CGD) hat eine Partnerschaft mit GlobalFoundries (GF) bekannt gegeben, um seine einchipbasierten ICeGaN-Leistungshalbleiter in Serie fertigen zu lassen. Die Zusammenarbeit unterstützt die fabless Strategie von CGD und erweitert die Lieferkette, um die steigende Nachfrage nach energieeffizienten GaN-Komponenten zu bedienen.
Die ICeGaN-Technologie integriert GaN-Schalter, Schnittstellen und Schutzschaltungen auf einem einzigen Chip und ist so ausgelegt, dass sie mit Standard-Treibern für Silizium-MOSFETs kompatibel ist. Die Fertigung erfolgt bei GlobalFoundries auf 8-Zoll-CMOS-Linien, ohne besondere GaN-spezifische Prozessschritte zu erfordern.
CGD betont, dass sein design- und foundry-agnostischer Entwicklungsansatz eine schnelle Portierung zwischen Fertigungsstandorten ermöglicht. Dabei kommen KI-gestützte Modelloptimierungen zum Einsatz, um die Markteinführung zu beschleunigen und eine reproduzierbare Performance sicherzustellen.
GaN-Leistungshalbleiter gelten als Schlüsseltechnologie für hocheffiziente Stromversorgungssysteme, da sie eine höhere Leistungsdichte und geringere Verluste im Vergleich zu Siliziumlösungen ermöglichen. Durch die Kooperation mit GlobalFoundries will CGD seine Kapazitäten im Bereich nachhaltiger Leistungselektronik weiter ausbauen.
