AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm von Imec bei
AIXTRON SE beteiligt sich mit seinem Hyperion 300-mm-GaN-MOCVD-System als einer der ersten Partner am neuen 300-mm-GaN-Leistungselektronikprogramm des belgischen Forschungsinstituts Imec. Das System wird künftig 300-mm-Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner bereitstellen und so die Entwicklung von Nieder- und Hochspannungs-Leistungselektronik vorantreiben – darunter On-Board-Charger und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für Solaranlagen sowie Energiesysteme für KI-Rechenzentren.
Imec hat sein bisher auf 200-mm-Wafern basierendes GaN-Programm auf 300 mm erweitert, um kosteneffizientere und leistungsstärkere GaN-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) zu entwickeln. AIXTRON unterstützt diese Initiative mit seiner Hyperion-Anlage, die im Imec-Reinraum in Leuven installiert wurde.
„Unsere Hyperion-Plattform ist die einzige vollautomatisierte 300-mm-GaN-MOCVD-Anlage mit In-Situ-Reinigung und ermöglicht eine nahtlose Integration der GaN-Epitaxie in Silizium-Reinräume“, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON. Die Partnerschaft mit Imec solle die Einführung von Galliumnitrid-Technologien in siliziumbasierte Anwendungen weiter beschleunigen.
AIXTRON und Imec arbeiten bereits seit Jahren in mehreren Forschungsprogrammen zusammen. Die neue Kooperation vertieft diese Partnerschaft und ermöglicht es, vorproduktionsreife Prozessabläufe schneller an Partner zu übertragen – ein wichtiger Schritt für die industrielle Nutzung von 300-mm-GaN-Leistungselektronik.
