Imec startet 300-mm-GaN-Programm für fortschrittliche Leistungselektronik
Das belgische Forschungs- und Innovationszentrum Imec hat den Start eines neuen 300-mm-GaN-Programms bekanntgegeben, das die Entwicklung fortschrittlicher Leistungsbauelemente und die Senkung der Herstellungskosten zum Ziel hat. Zu den ersten Partnern zählen AIXTRON, GlobalFoundries, KLA Corporation, Synopsys und Veeco.
Das Programm konzentriert sich auf die Entwicklung von GaN-Technologien für Nieder- und Hochspannungsanwendungen und basiert auf Imecs Erfahrung mit 200-mm-Waferplattformen. Der Wechsel zu 300-mm-Substraten ermöglicht laut Imec nicht nur höhere Produktionskapazitäten, sondern auch effizientere, kostengünstigere und kompaktere Leistungselektronik für Anwendungen in CPUs, GPUs, Automobiltechnik, Photovoltaik, Telekommunikation und Rechenzentren.
„Der Umstieg auf 300 mm eröffnet völlig neue Möglichkeiten für die Entwicklung skalierter p-GaN-Gate-HEMTs und effizienter Stromwandler“, sagte Stefaan Decoutere, Fellow und Programmdirektor des GaN-Leistungselektronikprogramms bei Imec. Der Start des Programms folgt auf erfolgreiche Tests zur Wafer-Handhabung und Maskenentwicklung. Bis Ende 2025 soll die vollständige 300-mm-Fertigungsausrüstung in Imecs Reinraum installiert sein.
Imec sieht den Schlüssel zum Erfolg in einem starken Partnernetzwerk: Das Programm soll die gesamte Wertschöpfungskette – von der Epitaxie über die Prozessintegration bis hin zur Verpackung – in einem offenen Innovationsökosystem bündeln, um die nächste Generation von GaN-Leistungselektronik voranzutreiben.
