Kioxia und Sandisk nehmen neues Werk in Kitakami in Betrieb
Kioxia und Sandisk haben die Produktion in einer neuen Halbleiterfabrik im japanischen Kitakami aufgenommen. Die Fab2 genannte Anlage soll fortschrittlichen Flash-Speicher für Anwendungen unter anderem im Bereich Künstliche Intelligenz herstellen.
Das Werk ist auf die Fertigung der achten Generation von 218-Layer-3D-Flash ausgelegt, basierend auf der CMOS-bonded-to-array (CBA)-Technologie. Es wird zudem künftige Speicher-Generationen unterstützen. Der Hochlauf erfolgt schrittweise, ein signifikanter Output wird im ersten Halbjahr 2026 erwartet.
Die Fabrik in der Präfektur Iwate ist mit erdbebenabsorbierenden Strukturen und energiesparender Produktionstechnik ausgestattet. Auch künstliche Intelligenz wird zur Effizienzsteigerung in der Fertigung eingesetzt. Ein Teil der Investition wird von der japanischen Regierung subventioniert – im Rahmen eines Programms, das im Februar 2024 genehmigt wurde.
„Die achte und weitere Generation von 3D-Flash-Speicherprodukten, die in Fab2 produziert werden, wird neuen Mehrwert für den schnell wachsenden KI-Markt schaffen“, erklärte Koichiro Shibayama, Präsident und CEO von Kioxia Iwate. Sandisk-Vizepräsidentin Maitreyee Mahajani ergänzte, dass das Werk die wachsende Nachfrage nach Speicherlösungen im Zuge der Ausbreitung von KI-Technologien unterstützen werde.