AIXTRON liefert 100. G10-SiC-Anlage aus
AIXTRON SE hat die Auslieferung seines 100. G10-SiC-Systems bekanntgegeben. Das Epitaxie-Batch-System wird an einen europäischen Hersteller von Leistungshalbleitern geliefert und soll dessen Kapazitäten für 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer erweitern.
Nur drei Jahre nach der Markteinführung hat sich die Planetary-Reactor-Technologie von AIXTRON weltweit bei den meisten Produzenten von SiC-Bauelementen etabliert. Das System ermöglicht die Herstellung gleichmäßiger und qualitativ hochwertiger SiC-Schichten – ein entscheidender Schritt für die Fertigung effizienter Leistungselektronik.
„Die Auslieferung des 100. G10-SiC-Systems ist ein bedeutender Meilenstein und zeigt das Vertrauen des Marktes in unsere Technologie“, sagte Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Silicon Carbide bei AIXTRON.
SiC gilt als Schlüsselmaterial für Anwendungen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien, Industrieanwendungen und zunehmend auch in Hochleistungssystemen für KI-Rechenzentren.
Das G10-SiC-System bietet eine 6×200-mm-Multi-Wafer-Batch-Konfiguration und unterstützt zugleich die 150-mm-Massenproduktion, was Flexibilität beim Übergang der Branche auf das 200-mm-Format sicherstellt.
