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X-FAB bietet jetzt GaN-on-Si Foundry Services an
X-FAB erweitert seine Technologieplattform XG035 in Dresden um GaN-on-Si Foundry-Services für dMode-Geräte. Damit stärkt das Unternehmen sein Angebot im Bereich Wide-Bandgap-Technologien wie GaN und SiC – mit Fokus auf Anwendungen in Automobil, Rechenzentren, Industrie, Energie und Medizintechnik.
Gefertigt wird im 8-Zoll-Werk in Dresden, das für die Entwicklung und Produktion von GaN-on-Si optimiert wurde. Dort können auch besonders dicke und anspruchsvolle Wafer verarbeitet werden.
Die Plattform umfasst dMode-HEMT-Transistoren (100–650 V), eMode-HEMTs sowie Schottky-Dioden. Zusätzlich stellt X-FAB ein Process Design Kit (PDK) bereit. Ab dem vierten Quartal 2025 soll außerdem ein MPW-Shuttle-Service verfügbar sein, der Prototyping und Kleinserienfertigung ermöglicht.
