Rapidus kooperiert mit Keysight zur Verbesserung der Ausbeute bei 2nm-GAA-Prozessen
Der japanische Foundry-Anbieter Rapidus hat eine strategische Zusammenarbeit mit Keysight Technologies Japan K.K. bekanntgegeben. Beide Unternehmen unterzeichneten ein Memorandum of Cooperation mit dem Ziel, ein hochpräzises Process Design Kit (PDK) für die 2nm Gate-All-Around (GAA) Halbleiter von Rapidus zu entwickeln.
Die Kooperation nutzt Keysights Parametric-Tester-Technologie, Analyselösungen und Expertise in der Prozessoptimierung der Halbleiterfertigung. Zunächst sollen Faktoren identifiziert werden, die die Genauigkeit des PDK verbessern, sowie deren Auswirkungen auf die Leistung von Halbleiterbauelementen, Schaltungen und auf die Ausbeute im Waferprozess untersucht werden.
Keysight verfügt über langjährige Erfahrung in der Unterstützung der Halbleiterproduktion mit Test- und Optimierungslösungen. Die neue Keysight Wafer Operations Analytics Suite verwendet proprietäre Analyse-Algorithmen und umfassende Datenformate, um Ursachen von Fertigungsproblemen zu identifizieren, die Ausbeute zu steigern und Kosten zu senken.
Rapidus hat im IIM-1-Werk in Chitose City (Hokkaido) mit der Prototypenfertigung von 2nm-GAA-Transistoren begonnen. Das Unternehmen entwickelt zudem das Konzept Rapid and Unified Manufacturing Service (RUMS), einen Single-Wafer-Prozess zur Verkürzung der Durchlaufzeiten. Daten aus den Parametric-Testern werden mit Keysights Root-Cause-Lösungen analysiert, um Fertigungsprobleme zu adressieren und die Entwicklung eines PDK für den 2nm-GAA-Prozess zu unterstützen.
Rapidus plant, das erste PDK bis zum 1. Quartal 2026 an Kunden auszuliefern, sodass diese mit der Prototypenentwicklung starten können.