Indien genehmigt vier neue Halbleiterprojekte im Wert von 530 Mio. USD
Die indische Regierung hat im Rahmen der India Semiconductor Mission (ISM) vier weitere Halbleiterprojekte mit einem kumulierten Investitionsvolumen von rund 46 Milliarden INR (ca. 530 Mio. USD) genehmigt.
Die neuen Projekte stammen von SiCSem, Continental Device India Pvt. Ltd. (CDIL), 3D Glass Solutions sowie Advanced System in Package (ASIP) Technologies. Die Anlagen von SiCSem und 3D Glass entstehen im Bundesstaat Odisha, CDIL erweitert seine bestehende Fabrik in Punjab, und ASIP errichtet ein neues Werk in Andhra Pradesh.
Mit den vier Projekten sollen 2034 direkte Facharbeitsplätze sowie zahlreiche indirekte Jobs geschaffen werden. Insgesamt beläuft sich die Zahl der bisher genehmigten ISM-Projekte damit auf ein Investitionsvolumen von rund 19 Milliarden USD in sechs Bundesstaaten.
SiCSem arbeitet dabei mit Clas-SiC Wafer Fab (UK) zusammen und baut in Info Valley, Bhubaneswar die erste kommerzielle Compound-Semiconductor-Fab des Landes, mit einer Jahreskapazität von 60.000 Wafern und 96 Millionen Verpackungseinheiten.
3D Glass Solutions (USA) plant am gleichen Standort eine vollintegrierte Advanced-Packaging- und Embedded-Glass-Substrate-Fabrik mit Kapazitäten von 69.600 Glassubstraten, 50 Millionen Baugruppen und 13.200 3DHI-Modulen pro Jahr.
ASIP Technologies wird in Andhra Pradesh gemeinsam mit APACT (Südkorea) eine Fertigung mit einer Kapazität von 96 Millionen Einheiten pro Jahr aufbauen.
CDIL wiederum erweitert seine bestehende Fabrik in Mohali, Punjab, um die Produktion von Leistungshalbleitern wie MOSFETs, IGBTs, Schottky-Bypassdioden und Transistoren – sowohl auf Silizium- als auch auf SiC-Basis. Die geplante Jahreskapazität liegt bei 158,38 Millionen Einheiten.