Micron kündigt massive Investitionen in US-Speicherchip-Produktion an
Micron Technology, Inc. hat zusammen mit der Trump-Administration eine Erweiterung seiner Investitionen in die US-amerikanische Speicherchip-Produktion und Forschung bekannt gegeben. Im Rahmen der neuen Initiative plant Micron eine Gesamtinvestition von rund 200 Milliarden US-Dollar, die sowohl Fertigung als auch Forschung und Entwicklung umfasst. Diese Maßnahmen sollen die Wettbewerbsfähigkeit der USA im Bereich Speicherlösungen, insbesondere für Künstliche Intelligenz (KI), stärken.
Das Unternehmen wird eine neue DRAM-Fabrik in Boise, Idaho, bauen und die bestehende Anlage in Manassas, Virginia, modernisieren. Zusätzlich ist der Bau einer „Megafab“-Anlage in Clay, New York, geplant. Diese Investitionen sollen Micron in die Lage versetzen, 40 % seiner DRAM-Produktion in den USA zu realisieren, insbesondere in der Schlüsseltechnologie für KI-Anwendungen, dem High Bandwidth Memory (HBM).
Neben der Erweiterung der Fertigungskapazitäten plant Micron, 50 Milliarden US-Dollar in Forschung und Entwicklung zu investieren. Diese Mittel sollen die Entwicklung fortschrittlicher Speichertechnologien vorantreiben und die technologische Führung der USA im Bereich der Speicherchips weiter festigen.
Die Investitionen werden auch erhebliche wirtschaftliche Impulse geben und rund 90.000 direkte und indirekte Arbeitsplätze schaffen. Micron hat bereits Fördermittel in Höhe von bis zu 6,4 Milliarden US-Dollar aus dem CHIPS Act erhalten, darunter 275 Millionen US-Dollar für die Erweiterung der Virginia-Anlage.
Führende Technologieunternehmen wie NVIDIA, Microsoft, Dell Technologies und AMD begrüßten die Investitionspläne von Micron. Diese Schritte sollen die USA als führenden Standort für die Entwicklung und Produktion von Speichertechnologien positionieren und gleichzeitig die Abhängigkeit von internationalen Lieferketten verringern.