Foxconn und Thales vereinbaren strategische Zusammenarbeit im Halbleiter- und Raumfahrtsektor
Foxconn (Hon Hai Technology Group) und das französische Technologieunternehmen Thales haben am 19. Mai 2025 eine strategische Partnerschaft bekanntgegeben, die auf den Aufbau eines Halbleiter- und Raumfahrtzentrums in Frankreich abzielt. Wie Foxconn mitteilte, wurde die Vereinbarung im Rahmen des „Choose France“-Wirtschaftsgipfels vorgestellt, einer Initiative unter der Schirmherrschaft von Präsident Emmanuel Macron zur Förderung internationaler Investitionen.
Kern der Kooperation ist die Errichtung eines OSAT-Zentrums (Outsourced Semiconductor Assembly and Test), das sich auf Fan-out-Wafer-Level-Packaging (FOWLP) spezialisieren soll – ein hochmodernes Verfahren zur effizienten Chipintegration. Dieses Zentrum wäre das erste seiner Art in Frankreich. Die Investitionssumme soll sich auf rund 250 Millionen Euro belaufen. Auch der französische Spezialist für Verbindungstechnologie Radiall wird als möglicher Partner genannt.
Das Projekt zielt darauf ab, Schlüsselindustrien wie Luft- und Raumfahrt, Automotive, Verteidigung und Telekommunikation mit innovativen Halbleiterlösungen zu versorgen. Gleichzeitig stärkt es die europäische Halbleiter-Wertschöpfungskette und fördert die technologische Unabhängigkeit der Region.
Mit der Initiative plant Foxconn, seine Präsenz auf dem europäischen Markt signifikant auszubauen. Für Thales bedeutet die Zusammenarbeit eine strategische Erweiterung seiner Kompetenzen in den Bereichen Systemintegration und High-End-Packaging.