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Elektronikproduktion |

Eine neue Generation hochpräziser MEMS-Oszillatoren

SiTimes Elite Platform revolutioniert den Zeitgeber-Markt mit hochpräzisen MEMS-Oszillatoren

Das ist eine Produktankündigung von siTimes. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Eine neue Generation hochpräziser MEMS-Oszillatoren, die sich aufgrund ihrer herausragenden technischen Leistungsmerkmale unter anderem auch ideal für den Einsatz in Kommunikationsanlagen und Netzwerken im Außenbereich eignen, präsentiert SE Spezial-Electronic auf der electronica in Halle A5, Stand 278 mit SiTimes neuer Elite Platform™. Die vier neuen Produktfamilien - Stratum 3 Präzisions-Super-TCXOs für Telekomunikations- und Cloud-Infrastruktur-Applikationen, Super-TCXOs für GNSS, industrielle und automotive Anwendungen, Differentialoszillatoren mit extrem geringem Jitter und differentielle Hochtemperatur-VCXOs mit hoher Zuverlässigkeit - basieren auf SiTimes innovativer Dual-MEMS™-Architektur mit TurboCompensation™. Den Kern der Elite Platform™ bilden dabei robuste und überaus zuverlässige TempFlat MEMS™-Resonatoren, die keine Activity Dips oder Mikrosprünge zeigen und auf Vibrationen mit 0,1 ppb/g rund 30 Mal unempfindlicher als Quarzoszillatoren reagieren. Die DualMEMS-Temperaturermessung erfolgt mit 100prozentig exakter thermischer Kopplung. Dadurch ist auch bei sich schnell ändernden Belüftungs- und Temperaturverhältnissen immer eine optimale Leistung der Oszillatoren sichergestellt. Dank hochintegrierter Mixed-Signal-Schaltungen mit On-Chip-Reglern, einem Temperatur/Digital-Wandler (TDC) und einer rauscharmen PLL konnte zudem die Unempfindlichkeit gegenüber Störsignalen in der Spannungsversorgung um bis zu 500 Prozent gesteigert werde. Weitere Vorteile im Vergleich zu herkömmlichen Quarz-basierten Lösungen sind eine extrem hohe Temperaturauflösung von 30 μK und die Unterstützung beliebiger Frequenzen zwischen 1 und 700 MHz. Zu den revolutionären Eigenschaften der Stratum 3 Präzisions-Super-TCXOs zählen eine Frequenzstabilität von ±100 ppb über den gesamten Betriebstemperaturbereich von -40 und +105 °C, eine Frequenzdrift (ΔF/ΔT) von 1 bis 5 ppb/ °C bei einer äußerst schnellen Temperaturänderungsrate von 10 °C pro Minute und eine 3e-11 Allan-Deviation (ADEV) mit 10 s Mittelungszeit. Dank einer hohen Störsignal-Unterdrückung von 0,2 ps/mV auf der Betriebsspannung (PSNR) kann auf einen zusätzlichen Linearregler (LDO) verzichtet werden, die optionale I2C/SPI-Frequenzabstimmung erübrigt einen externen D/A-Wandler. Die Super-TCXOs für GNSS, industrielle und automotive Anwendungen punkten mit einer Frequenzstabilität von ±0,5 ppm bei -40 bis +105 °C, während sich SiTimes neue Differentialoszillatoren durch einen extrem geringen intergrierten Phasenjitter von effektiv 0,23 ps bei 12 kHz bis 20 MHz bzw. 0,1 ps unter Ethernet-Maske für 10G/40G/100G auszeichnen. Abgerundet wird das aktuelle Portfolio hochleistungsfähiger MEMS-Oszillatoren durch differentielle Hochtemperatur-VCXOs, die sich bei Temperaturen von bis zu +95 °C durch ausgezeichnetes Phasenrauschen und eine besonders hohe Zuverlässigkeit auszeichnen. Zu den besonders herausragenden technischen Merkmalen dieser Komponenten zählen eine Frequenzabstimmlinearität von 0,1% unter allen Bedingungen und ein extrem weiter Ziehbereich von ±25 bis ±3600 ppm.

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2024.03.28 10:16 V22.4.20-2
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