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© GaN Systems Elektronikproduktion | 25 Mai 2015

Neuer Stromrekord mit dem neuen Hoch­leis­tungs-Halb­leiterschalter

60A-Galliumnitrid-Leistungstransistor von GaN Systems markiert einen neuen Stromrekord für diesen Bauteiltyp.

Das ist eine Produktankündigung von GaN Systems. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
GaN Systems Inc., ein Entwickler von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern für Schaltanwendungen, hat seine erfolgreiche E-Mode-GaN-on-Silicon-Leistungtransistorfamilie, die auf den drei proprietären Kerntechnologien des Unternehmens basiert, um einen neuen Typ mit der Bezeichnung GS65516T erweitert. Der neue GaN-Enhancement-Mode-Leistungstransistor bietet unter allen vergleichbaren Produkten am Markt mit 60A die höchste Strombelastbarkeit und erweitert GaN Systems’ Angebot an Hochleistungs-Halbleiterschaltern. Der E-Mode-Leistungsschalter GS65516T650V verwendet die im März dieses Jahres von GaN Systems vorgestellte, proprietäre Technologie mit oberseitiger Kühlung, die es ermöglicht, das Bauteil mit Hilfe herkömmlicher Kühlkörper- oder Lüfter-Kühltechniken zu kühlen. Der neue Transistor basiert auf GaN Systems' Ultra-low-FOM-Island-Technology®-Die-Design, besitzt ein thermisch effizientes GaNPX™-Gehäuse und ist 9,0mm x 7,6mm x 0,45mm groß. Der 650V-E-HEMT GS65516T widersteht Rückströmen, verfügt über einen internen Source Sense und ist frei von Reverse-Recovery-Verlusten. Der Transistor besitzt zwei Gate-Pads, das erleichtert Entwicklungsingenieuren die Optimierung des Leiterplattenlayouts. Der GS65516T eignet sich für wirkungsgradstarke Hochfrequenz-Spannungswandler-Anwendungen wie On-board-Akkuladegeräte, 400V-Gleichspannungswandler, Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), VFD-Motorsteuerungen, AC/DC-Stromversorgungen (PFC und primär) und kompakte VHF-Netzadapter. Der GS65516T kann über die weltweiten Vertriebspartner von GaN Systems bezogen werden und ist in kundenspezifischer Tape/Reel- oder Mini-Reel-Verpackung lieferbar. Preise auf Anfrage. „GaN ist in der Gegenwart angekommen“, sagt Girvan Patterson, President, GaN Systems. „Unsere Bauteile bieten Leistungen, die industriellen Anforderungen genügen, und seit ihrer Markteinführung im vergangenen Jahr bedienen sich Hunderte führender Unternehmen in aller Welt unserer Technologie, um unter den Ersten zu sein, die die Vorteile der GaN-Technologie in Produkten unterschiedlichster Art – von Solar-Wechselrichtern bis zu ultraflachen Fernsehern – nutzen. Die wichtigsten Marktteilnehmer sind sich im Klaren darüber, dass die Galliumnitrid-Halbleitertechnologie bahnbrechend ist. Unsere Core-IPs erleichtern Entwicklern den Einsatz unserer Bauteile, und es kommen immer mehr Produkte auf den Markt, die von den Vorteilen der GaN-Technologie profitieren. Auf unserem Stand hier bei der PCIM zeigen wir beispielsweise einen Fahrzeug-Wechselrichter vom führenden US-amerikanischen Hersteller DRS Technologies, eine taktische 2-kWh-Versorgungseinheit von Virideon und ein 5kW-Dreiphasen-Wechselrichtermodul von LS Industrial Systems, Korea.“ GaN Systems ist das erste Unternehmen, das ein umfassendes Angebot an GaN-Transistoren mit Ausgangsströmen von 8A bis 250A entwickelt und auf die internationalen Märkte gebracht hat. Durch die Kombination aus dem Island Technology®-Chipdesign, dem extrem induktivitätsarmen und thermisch optimierten GaNPX™-Gehäuse und der Drive-Assist-Technologie sind die GaN-Transistoren von GaN Systems herkömmlichen Silizium-MOSFETs und IGBTs hinsichtlich ihrer Schalteigenschaften und ihres Leitvermögens um den Faktor 40 überlegen. Die Bauteile können ab sofort über GaN Systems' weltweites Vertriebsnetz bezogen werden. ----- Bild: © GaN Systems
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