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© ON Semiconductor Elektronikproduktion | 27 Mai 2015

ON Semiconductor tritt in den Markt für hochleistungsfähige PIMs ein

ON Semiconductor stellt ein 80A-PIM mit branchenweit führenden Leistungsmerkmalen vor, das für den Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen, drehzahlgeregelten Antrieben in der Industrie und in Solar-Wechselrichtern gedacht ist.

Das ist eine Produktankündigung von ON Semiconductor. Allein der Emittent ist für den Inhalt verantwortlich.
Auf Basis von ON Semiconductors Trench Field Stop II Technologie und robusten, ultraschnellen FRDs (Fast Recovery Dioden) ist das NXH80T120L2Q0PG PIM in 1200 V, 80 A Halbbrücken- und 600 V, 50 A Neutralpunkt-Topologie (T-Typ) ausgeführt. Damit wird ein Wirkungsgrad von über 98% erzielt. Die konfigurierbare Gehäuseplattform besteht aus einem hochleistungsfähigen DBC-Substrat (Direct-Bonded Copper) und proprietären Einpress-Anschlüssen, womit Kunden ein hochleistungsfähiges und zuverlässiges Power Module zur Verfügung steht. ON Semiconductors Eintritt in den PIM-Markt beruht auf 30 Jahre Erfahrung in den Bereichen Zündanlagen-IGBTs für Fahrzeuge und IPM-Entwicklung (Intelligent Power Module). Die NXH80T120L2Q0PG PIMs basieren zudem auf ON Semiconductors Know-how bei Gehäusen und sind entsprechend den höchsten Industriestandards in Sachen Zuverlässigkeit qualifiziert. Die Module arbeiten mit Sperrschichttemperaturen (Tj) bis zu 175 °C und bieten Kunden eine integrierte Versorgungskette für Halbleiterbausteine und Gehäuse, die hohe Qualität und niedrige Kosten garantiert. „PIMs sind ein wichtiger Bestandteil unserer langfristigen Power-Strategie, um in die Industrie- und Automotive-Segmente mit hohem Leistungsbedarf zu expandieren“, erklärte Paul Leonard, Vice President und General Manager für Power Discrete Products bei ON Semiconductor. „Diese neue, äußerst widerstandsfähige Power-Module-Plattform ergänzt unser umfangreiches Angebot an diskreten Leistungselektronik- und Modullösungen. Unsere Kunden können damit ihren Bedarf an hocheffizienten Power-Modulen mit hoher Leistungsdichte abdecken.“
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2019.04.18 05:19 V13.0.9-1