Toshiba beschleunigt die NIL-Entwicklung

Ingenieure von beiden Unternehmen beginnen im April dieses Jahres in Yokohama, Japan mit der Entwicklung grundlegender Technologien für das Verfahren. Das Verfahren soll 2017 zum praktischen Einsatz kommen. Die Ankündigung baut auf einer gegenseitigen Absichtserklärung (Memorandum of Understanding) auf, die beide Unternehmen im Dezember letzten Jahres unterzeichnet haben. Toshiba arbeitet bereits mit mehreren Ausrüstern und Materialfirmen an NIL und integriert deren Technologien mit Halbleiterherstellungsprozess. Das neu angekündigte Entwicklungskooperationsprogramm mit SK hynix beschleunigt den Fortschritt zum praktischen Einsatz und wird Toshibas Belastung durch die Investition in die NIL-Entwicklung mindern. NIL ist eine der potenziellen Technologien, die die Migration zu zukünftigen Generationen von Speichergeräten vorantreiben sollen. Photolithographie, die derzeitige gängige Verfahrenstechnik, ätzt mithilfe eines Lasers und einer fotoempfindlichen Maske Schaltungen in eine lichtempfindliche Beschichtung auf Halbleiterscheiben (Wafer). NIL überträgt den Schaltungsaufbau direkt durch Aufprägen einer strukturierten Matrize auf die Halbleiterscheibe. Dadurch lassen sich möglicherweise feinere Konstruktionsdesigns erzielen. Das Unternehmen will weiterhin die Entwicklung der Lithographie-Technologie der Zukunft, wie zum Beispiel NIL und extreme Ultraviolett-Lithografie, zur Stärkung seines Speichergeschäftes und zur Migration zu zukünftigen Produktgenerationen vorantreiben.