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© daimy dreamstime.com Leiterplatten | 12 Januar 2015

Neue Lösungen für eingebettete Leistungselektronik

AT&S und dem EmPower Konsortium aus wichtigen Playern in der Industrie und Partnern aus der Wissenschaft ist die Entwicklung von Leistungsgehäusen mit eingebetteten Leistungshalbleitern gelungen.

Nach 18-monatiger Projektarbeit zeigen sich jetzt die ersten beeindruckenden Ergebnisse vor allem im Benchmarking mit bestehenden Packaging-Lösungen: Referenzdesigns wurden bereits produziert und weisen eine Miniaturisierung von bis zu 50% für Leistungsmodule auf. Mit den neuen eingebetteten Packaging-Konzepten wurden Effizienzsteigerungen durch reduzierten Leistungsverlust und verringerte thermische Widerstände erzielt. Neue Plattierungsanlagen für die Beschichtung von Halbleiterwafer wurden entwickelt, um doppelseitige kupferbeschichtete Leistungschips zu realisieren. Dies ermöglicht eine neue Wertschöpfungskette für eingebettete Leistungsgeräte und neue Gehäuselösungen. Aufgrund dieser positiven Entwicklung sind Unternehmen aus der Automobil-, Industrie- & Halbleiterbranche nun auf dem Weg, diese neuen Lösungen zu industrialisieren. Ziel im Industrialisierungsplan sind Leistungsanwendungen (z.B. Gleichstrom/Wechselstrom Konverter, erneuerbare Energielösungen) in verschiedenen Leistungsklassen im Bereich von 50 W bis 50 kW. Andreas Gerstenmayer, CEO AT&S: „Die steigende Nachfrage im Bereich der Leistungselektronik bestätigt unsere Strategie, den Fokus auf innovative und effiziente Methoden zur Optimierung der Energienutzung zu legen. Auf Basis der erzielten Ergebnisse ist AT&S nun in der Lage, Kunden und potenziellen Kunden in der Automobil-, Industrie- und Halbleiterbranche unsere innovativen Lösungen für eingebettete Leistungselektronik anzubieten.” ----- Das EmPower Konsortium besteht aus folgenden Mitgliedern:
  • AT&S–Österreich
  • Continental–Deutschland
  • STMicroelectronics–Frankreich/Italien
  • TU Wien–Österreich
  • TU Berlin–Deutschland
  • Atotech–Deutschland
  • Ilfa–Deutschland
  • Fundico–Belgien
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2019.12.03 22:29 V14.8.2-2