Neuer Aixtron Direktor in Suzhou: Qingshan Li

Wie das Unternehmen heute mitteilt, hat Qingshan Li im März als Director of Process Support bei Aixtron China Ltd. die Leitung von Dr. Nicolas Muesgens übernommen, der das Zentrum seit der Eröffnung vor einem Jahr mit aufgebaut und geleitet hatte. „Wir haben sehr viel erreicht", resümiert Dr. Muesgens. „Unser Labor bietet unseren Kunden den großen Vorteil, dass sie in Suzhou reale Prozessbedingungen sehen und beurteilen können und ihre eigene Produktion nicht unterbrechen müssen. Damit steigern sie ihre Effizienz und haben keine Einbußen bei der Produktivität." Geschäftsführer Tim Wang von Aixtron China Ltd. dankte Dr. Muesgens für seinen hervorragenden Einsatz beim Aufbau des Schulungszentrums. „Er hat hervorragende Arbeit geleistet.“ Künftig werde man vor Ort noch stärker auf die spezifischen Bedürfnisse der Kunden eingehen. „Fast alle Schlüsselkunden haben im ersten Jahr ein Training durchlaufen. Ihre Rückmeldungen zeigen, dass sie vor allem das Training unter realen Prozessbedingungen in ihrer direkten Nähe als sehr hilfreich und effizient bewerten", so Herr Wang. Der neu ernannte Direktor Qingshan Li erhielt seinen Ph.D. in Materialwissenschaften von der East China University of Science and Technology (ECUST) in Shanghai. Vor seiner Ernennung bei Aixtron bekleidete er verschiedene Positionen im Bereich der Prozessentwicklung bei Novellus Systems Inc., zuletzt als Director Process & Technology. „Mein Ziel ist es, auch weiterhin dafür zu sorgen, dass unsere Kunden mit erstklassigem Training mehr Systemstabilität und Produktivität in der Massenproduktion erreichen", so Qingshan Li. Für die nächste Zeit seien zahlreiche Prozessdemonstrationen mit Schlüsselkunden auf der CRIUS II-XL geplant. „Zu Übungszwecken setzen wir eine zusätzliche Reaktorkammer ein, um technische Details optimal zu veranschaulichen und das Hardware-Training zu intensivieren. Bis Mitte des Jahres werden unsere Anlagen in Suzhou mit den neuesten Erweiterungen ausgestattet – unter anderem wird dann die G5 GaN-auf-Si-fähig sein."