LEES fördert Energieeffizienz in Singapur mit Aixtron Anlagen

Das Team renommierter Spezialisten aus Forschung und Wissenschaft will modernste Technologien zur Steigerung der Energieeffizienz entwickeln und neue, die Mikroelektronik-Industrie ergänzende High-Tech-Industrien vorantreiben. Als technologische Basis dienen LEES zwei AIXTRON CRIUS 1x200 mm Anlagen, die der Projektträger Anfang des Jahres bestellt hatte. Sie werden den Forschern ab dem vierten Quartal 2012 zur Verfügung stehen. SMART ist eine Kooperation des amerikanischen Massachusetts Institute of Technology (MIT) und der National Research Foundation of Singapore (NRF). Ziel ist es, auf Basis der vielversprechenden III-V-auf-Silizium-Technologie optische und elektronische Komponenten auf einem Chip kostengünstig zu integrieren. Bis 2016 werden die Forscher neuartige Materialverbindungen, Prozesstechnologien und integrierte Schaltkreise auf 200 mm CMOS-kompatiblen Siliziumwafern entwickeln. Professor Eugene A. Fitzgerald vom MIT DMSE, USA, leitet das Projekt zusammen mit Soon F. Yoon vom Electrical and Electronic Engineering Department (EEE) an der Nanyang Technological University (NTU) Singapur. „Angesichts knapper werdender Energieressourcen sind wir gefordert, integrierte Schaltkreise mit mehr Funktionalität, höherer Leistung und weniger Stromverbrauch bereitzustellen", so Professor Fitzgerald. Erforscht würden daher auch Lösungen zur Verbesserung der Energieeffizienz durch den Einsatz modernster Speichermedien wie Ultrakondensatoren und Nanobatterien. „LEES verbindet Expertise im Bereich der III-V-Halbleiter mit etablierter Siliziumtechnologie", sagt Professor Michael Heuken, Vice President für Forschung und Entwicklung bei AIXTRON. „Unser besonderes Interesse gilt der industriellen Produktion von LEDs, Lasern und Leistungshalbleitern auf großen Silizium-Wafern." Professor Heuken wurde in den wissenschaftlichen Beirat von LEES berufen. Hohe Erwartungen setzen die Wissenschaftler vor allem in die Integration von III-V-Halbleitern auf Basis von AlInGaN und AlInGaAsP in siliziumbasierte CMOS-Schaltkreise und die damit verbundenen erforderlichen Fortschritte bei der Energieeinsparung. Die neuen Schaltkreis-Designs werden künftig in multifunktionalen LED-Farbdisplays von Mobiltelefonen, Fernsehern und Computern sowie in der Druckindustrie, der Leistungselektronik und der LED-Beleuchtung zum Einsatz kommen. Singapur verfügt über eine starke Siliziumindustrie. Der Forschungscampus CREATE (Campus for Research Excellence And Technological Enterprise) gilt als eine führende Wissensmetropole in Südostasien, die die Zusammenarbeit internationaler Forschungsuniversitäten aktiv fördert. LEES ist bereits die fünfte von SMART initiierte interdisziplinäre Forschungsplattform. Die Ergebnisse sollen anschließend der lokalen Industrie verfügbar gemacht werden, um ihre Wettbewerbsfähigkeit zu stärken und neue Wirtschaftszweige hervorzubringen, die die Halbleiterindustrie maßgeblich verändern könnten.