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Elektronikproduktion | 15 August 2012

Aixtron Reaktor geht nach Taiwan

(nun das Ganze noch mal auf Deutsch) Die National Central University (NCU) in Taiwan hat eine weitere MOCVD-Anlage von Aixtron bestellt.

Aktualisiert; August 15, 2012 12:02
Mit einer neuen 1x6-Zoll Close Coupled Showerhead-Anlage will die Universität Galliumnitrid (GaN)-Strukturen auf 6-Zoll-Substraten herstellen, mit denen Bauteile zur Leistungssteuerung erforscht und entwickelt werden sollen. Ein Serviceteam von Aixtron Taiwan hat die Installation und Inbetriebnahme im Reinraum des Labors für Mikrowellen- und optoelektronische Bauteile an der Hochschule durchgeführt. „Die Nachfrage nach kostengünstigen GaN-Leistungsbauelementen in Hocheffizienz- und Hochleistungssystemen steigt kontinuierlich", erklärt Professor Jen-Inn Chyi vom Lehrstuhl für Elektrotechnik an der NCU. „Wir planen daher, unsere eigenentwickelte Halbleiter-Technologie für die industrielle Nutzung vorzubereiten.“ Dies solle zunächst im Rahmen eines Pilotprojekts und anschließend auch für die Produktion im großen Maßstab erfolgen. „Für unser Vorhaben benötigen wir die beste Ausstattung, wozu die Multiwafer-Anlage von Aixtron zweifellos gehört. Sie eignet sich ideal für die Herstellung von GaN-Heterostrukturen auf großflächigen Silizium-Wafern, mit denen Hochleistungsbauelemente möglichst kostengünstig produziert werden können."
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