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Elektronikproduktion | 12 Juni 2012

Plessey investiert in Aixtron Maschinen

Die englische Plessey Semiconductors Ltd. hat eine produktionsfähige CRIUS II-XL MOCVD-Anlage in einer 7x6-Zoll-Konfiguration bestellt und weitere Anlagenkäufe des gleichen Typs angekündigt.

Damit will Plessey GaN-LEDs auf Siliziumwafern entwickeln. Ein Serviceteam von Aixtron Ltd. wird die Anlage noch im Juni 2012 am Standort Plymouth, UK, installieren und in Betrieb nehmen. „Die Planungen für die Herstellung einer neuen äußerst leistungsfähigen LED verlaufen optimal", erklärt Barry Dennington, COO Plessey Semiconductors. Mit diesem Produkt werde Plessey neue Maßstäbe in der Beleuchtung setzen und den am Markt längst erwarteten preislichen Durchbruch ermöglichen. Nach dem Zukauf von CamGan, einem Spin-off der Universität von Cambridge, im Februar 2012 verstärkt das Unternehmen jetzt seine technischen Möglichkeiten, um die Potenziale von GaN-auf-Si kommerziell vollständig auszuschöpfen. Ziel sei es, die Prototypenproduktion noch vor Ablauf des dritten Quartals 2012 abzuschließen und im zweiten Quartal 2013 die Vollproduktion zu erreichen. „Mit der CRIUS II-XL als Basis starten wir in die Vollproduktion von LED-Materialien", ist Neil Harper, HB LED Programme and Product Line Director, überzeugt. Auf einer 6-Zoll Fertigungslinie für integrierte Schaltungen will Plessey in Plymouth LEDs der Marke `MAGIC´ (MAnufactured on GaN ICs) auf großflächigen Siliziumsubstraten entwickeln. „Die aktuelle Aixtron CRIUS-Generation überzeugt mit zahlreichen Vorteilen, etwa den niedrigsten Betriebskosten für GaN-Schichtenwachstum auf 6- bzw. 8-Zoll-Siliziumsubstraten.“
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