Anzeige
Anzeige
Elektronikproduktion | 20 MĂ€rz 2012

Aixtron-Anlage an der University of Texas at Austin

University of Texas at Austin entwickelt hochwertiges Graphen im Wafer-Maßstab mit Aixtron Anlage
Forschern der University of Texas at Austin (USA) ist es erstmals gelungen, Graphen auf aufgedampften Kupferschichten im Wafer-Maßstab abzuscheiden. Die Resultate wurden mit einer kĂŒrzlich erworbenen vertikalen Kaltwand BM Pro-Anlage von Aixtron erzielt und werden derzeit auf der American Chemical SocietyÂŽs Nano Website publiziert1. „Bisher wird hauptsĂ€chlich Kupferfolie als Basismaterial bei der Erforschung und Synthese von Graphen eingesetzt. Obwohl auch mit dieser Methode Filme von guter QualitĂ€t erzeugt werden können, ist es uns jetzt gelungen, nahezu defektfreie Graphen-Monoschichten auf aufgedampften Kupferschichten im Wafer-Maßstab abzuscheiden. ZunĂ€chst wird in einem Temperprozess ein wasserstoffreicher polykristalliner Kupferfilm in der (111)-FlĂ€che gebildet. Durch die Zersetzung von reinem Methan kann anschließend hochwertiges Graphen abgeschieden werden – ohne die Verwendung von Wasserstoff wĂ€hrend der Wachstumsphase und bei niedrigeren Prozesstemperaturen als dies bei Kupferfolie der Fall ist“, erlĂ€utert Prof. Deji Akinwande, der die Forschungsarbeit zusammen mit Professor Rod Ruoffs Team am Microelectronics Research Center der UT Austin leitet. „Wir sehen diese Arbeit als wegweisend in der Synthese weitgehend defektfreier Graphenschichten im Wafer-Maßstab an, denn sie erfĂŒllt zentrale Voraussetzungen fĂŒr heterogenes Graphen auf Silizium fĂŒr VLSI-Anwendungen sowie fĂŒr den industriellen Einsatz von Graphen. Dank der hohen LeistungsfĂ€higkeit und FlexibilitĂ€t der Aixtron BM Pro-Anlage sowie ihrer einzigartigen ProzessfĂ€higkeit in der chemischen Gasphasenabscheidung konnten wir Ă€ußerst effektiv arbeiten und Ergebnisse in ĂŒberragender HomogenitĂ€t im Wafer-Maßstab erzielen." Die Forschungsarbeit wurde durch das National Nanotechnology Infrastructure Network (NNIN) in Zusammenarbeit mit dem Texas Materials Institute (TMI) der University of Texas at Austin in Auftrag gegeben und unter anderem durch die Nanoelectronic Research Initiative (NRI-SWAN Center) und das Office of Naval Research gefördert. Das 1983 gegrĂŒndete Forschungszentrum fĂŒr Mikroelektronik bietet auf 12.000 qm modernste Ausstattung fĂŒr die Halbleiterproduktion, darunter ReinrĂ€ume der Klassen 100 und 1000, außerdem Charakterisierungslabore auf einer FlĂ€che von 15.000 qm. Es zĂ€hlt zu den fĂŒhrenden Exzellenz-Zentren in der Graphenforschung und betreut neben 15 Studenten der FakultĂ€t insgesamt 120 Doktoranden.
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2019.02.15 09:57 V12.1.1-2