Siltronic AG wird Partner in imec-Forschungsprogramm

Das Vorhaben soll die Produktion von Festkörperleuchtmitteln (z.B. LEDs) und Leistungshalbleitern auf 200-mm-Siliciumwafern ermöglichen. Der Münchner Waferhersteller setzt dabei auf die Verwendung von Galliumnitrid (GaN), das als vielversprechendes Material gilt. Durch die Kombination aus enormer Elektronenmobilität, hoher Durchbruchspannung und guter Wärmeleitfähigkeit ist es besonders für Optoelektronik und moderne Leistungshalbleiter geeignet, wie sie beispielsweise in Windkraft- und Solaranlagen, Elektrofahrzeugen oder stromsparenden Küchengeräten zum Einsatz kommen. Strukturen der Form GaN/(Al)GaN zeigen gegenüber klassischen, siliciumbasierten Anwendungen ein sehr effizientes Schaltungsverhalten. Allerdings muss die GaN-Technologie noch weiterentwickelt werden, um sie auch unter wirtschaftlichen Kriterien konkurrenzfähig zu machen. Um dies zu erreichen, sind kostengünstige und effiziente Produktionsprozesse zur epitaktischen Abscheidung von GaN/(Al)GaN-Strukturen auf Siliciumwafern größerer Durchmesser vielversprechend. Die Siltronic AG hat jahrzehntelange Erfahrung bei der epitaktischen Abscheidung von Materialien auf Siliciumsubstraten. Imec ist einer der Pioniere auf dem Gebiet der Abscheidung von GaN auf Siliciumsubstraten mit einem Durchmesser von 2 bis 6 Zoll. Durch die Skaleneffekte bei der Produktion auf 200-mm-Wafern könnten sich die Herstellungskosten von LEDs und Leistungshalbleitern auf GaN-Basis erheblich verringern. An dem international aufgestellten Forschungsprojekt sind neben Siltronic auch weitere Halbleiterhersteller (IDMs), Auftragsfertiger (Foundries), Silicium-Compound-Hersteller und Substrathersteller beteiligt. Siltronic wird im Rahmen dieser Kooperation die Räumlichkeiten und technischen Möglichkeiten von imec in Leuven, Belgien, nutzen.