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Komponenten | 25 Februar 2011

Hong Kong University erforscht III/V-Halbleiter auf Silizium mit AIXTRON CCS

Die Hong Kong University of Science and Technology (HKUST) hat im Q3/2010 eine AIXTRON Close Coupled Showerhead MOCVD (*) Anlage in einer 6x2-Zoll-Waferkonfiguration (3x3- bzw. 1x6-Zoll) bestellt.
Nach der Auslieferung im ersten Quartal 2011 wird HKUST damit As/P/Sb-basierte (**) Materialien auf Siliziumsubstraten fĂŒr die Erforschung elektronischer/photonischer Anwendungen herstellen. Ein Serviceteam von AIXTRON wird die neue Anlage im Forschungslabor des Instituts im Fachbereich Elektro- und Computertechnik in Betrieb nehmen. „Zwischen AIXTRON und unserem Institut besteht seit vielen Jahren eine enge Verbindung“, sagt Professor Kei May Lau. „So konnten wir große Sachkenntnis ĂŒber Technologie, Prozesse und Verfahrensweise aufbauen und wollen nun auch neue Projekte mit AIXTRON durchfĂŒhren." Die Anlage bilde das KernstĂŒck fĂŒr die Erforschung von III/V-Verbindungshalbleitern auf Silizium – insbesondere die HochtemperaturfĂ€higkeit des Reaktors (>1.000 °C) sei dabei essenziell, so die Professorin. AIXTRON Vice President Greater China, Dr. Christian Geng, fĂŒgt hinzu: „Professor Kei May Lau betreibt seit jeher Spitzenforschung zu III/V-Halbleitern und MOCVD. Ich freue mich, dass unsere Kunden – und damit auch AIXTRON – an diesem innovativen Projekt im Rahmen eines Referenzlabors teilhaben." Professor Lau habe bereits zahlreiche Single- und Multiwafer-Anlagen von AIXTRON fĂŒr die Herstellung von Arsenid, Phosphid und Nitrid im Einsatz, so Dr. Geng weiter. Dies sei jedoch die erste Close Coupled Showerhead-Anlage fĂŒr die UniversitĂ€t. Er werte die Bestellung als erneuten Beweis fĂŒr die hohe Reputation der leistungsfĂ€higen, flexiblen Technologie, die alle Anforderungen der Epitaxie-Forschung optimal erfĂŒlle. * MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung ** As/P/Sb-basierte Materialien = Materialien auf Basis von Arsenid/Phosphid/Antimonid
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