'Neuland': Mit neuen Halbleitermaterialien Energieverluste halbieren

Neuland steht für Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke. Ziel des Projekts ist es, mit neuartigen Halbleiterbauelementen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid auf Silizium (GaN-on-Si) die Verluste etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern bei der Einspeisung ins Stromnetz um bis zu 50% zu senken – und das, ohne die Kosten der Anlagen signifikant zu erhöhen. Die neuen Bauelemente sollen in Zukunft auch in Schaltnetzteilen für Desktop- und Laptop-PCs, für Flachbildfernseher, Server und Telekommunikationsanlagen zum Einsatz kommen und hier ebenfalls die Verluste um etwa die Hälfte senken helfen. Das Projekt Neuland läuft bis Mitte 2013, die Projektleitung liegt bei Infineon. Es wird vom BMBF auf Grundlage der Hightech-Strategie der Bundesregierung (Programm „Informations- und Kommunikationstechnologie 2020“ (IKT 2020)) im Rahmen der Förderbekanntmachung „Leistungselektronik zur Energieeffizienzsteigerung (LES)“ mit einem Beitrag von etwa EUR 4,7 Millionen bei einer Förderquote von 52,6% gefördert. Hintergrund Das Projektkonsortium umfasst ausgeprägte Expertise zu SiC und GaN über einen sehr großen Bereich der Wertschöpfungskette. Als Anlagenhersteller für die Halbleiterfertigung ist Aixtron vertreten und als Waferhersteller die Unternehmen SiCrystal und Azzurro. Das Bauelemente-Know-how kommt von MicroGaN und Infineon und die Erfahrung zur Systemtechnik im Solarbereich vom Unternehmen SMA Solar Technology.