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Komponenten | 23 November 2010

Infineon und Goldwind mit Lizenzabkommen

Die Infineon Technologies AG und Xinjiang Goldwind Science and Technology Co., Ltd. haben ein Lizenzabkommen über grundlegende Komponenten für die Produktion von Windkraftanlagen abgeschlossen.

Im Rahmen der Vereinbarung erhält Goldwind die Lizenz für die Produktion von IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - Stacks von Infineon, die in Windkraftanlagen mit einer Leistung von mehreren Megawatt (MW) eingesetzt werden. Infineon wird auch IGBT-Stacks an Goldwind liefern. IGBTs sind Leistungshalbleiter, die eine effiziente Umrichtung der variablen Frequenz des Windgenerators in eine Festfrequenz ermöglichen. Dies ist für die Einspeisung in das Stromnetz der jeweiligen Region erforderlich. „Die Einführung der Technologie und die anschließende eigene Produktion wird die Versorgung mit diesen Kernkomponenten sicherstellen, eine höhere Kosteneffizienz gewährleisten und unsere eigene Entwicklung von Umrichtern fördern. Damit verbessern wir die Wettbewerbsfähigkeit unserer Produkte“, sagte Wu Gang, Board Chairman von Goldwind anlässlich der Vertragsunterzeichnung. „Durch diese Kooperation profitieren wir von der Erfahrung von Infineon mit komplexen Prozess-Technologien und im Bereich Qualitätssicherung und können so unser Fertigungsmanagement optimieren.“ „Die Entscheidung von Goldwind ist eine großartige Bestätigung für die Leistungsfähigkeit der IGBT-Technologie von Infineon, die höchste Energieeffizienz mit maximaler Zuverlässigkeit und Robustheit verbindet“, sagte Arunjai Mittal, Division President der Industrial & Multimarket Division bei Infineon Technologies. „Leistungshalbleiter übernehmen wichtige Funktionen bei der Erzeugung, Verteilung und Umwandlung von Energie.“ Infineon plant zudem die Einrichtung eines Anwendungs-Entwicklungszentrums in Peking. Die neue Windkraftanlagen-Generation zeichnet sich durch höhere Leistungen und verbesserte Netzkompatibilität aus. Leistungsfähige Umrichter gehören zu den wichtigsten Komponenten von PMDD (Permanent Magnet Direct Drive)-Windrädern, wie Goldwind sie produziert. Bereits seit 2007 liefert Infineon IGBT-Stacks für Umrichter von Goldwind. Seit der ersten Installation im Beijing Guanting Reservoir im Juli 2009 haben sich Goldwind-Umrichter auf Basis der IGBT-Stacks von Infineon mit einer Verfügbarkeit von 99 Prozent vielfach bewährt und zahlreiche Tests unter extremen Bedingungen bestanden. Goldwind hat in den vergangenen Jahren bereits umfassende Erfahrungen in der Entwicklung von Umrichtern gesammelt. Die neue Goldwind-Fertigungsanlage in Peking wird in Kürze in Betrieb genommen. Die IGBT-Stacks werden bereits in den 1,5-MW-Windkraftanlagen von Goldwind eingesetzt und sollen demnächst auch in Modellen mit 2,5 MW und 3,0 MW genutzt werden, die bereits in der Volumen-Produktion sind. Darüber hinaus sollen die Komponenten auch in den zurzeit entwickelten 6-MW-Offshore-Modellen genutzt werden. Die Auslieferung des ersten 6-MW-Prototyps von Goldwind ist für Mitte 2012 geplant.
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2019.08.21 15:49 V14.1.4-1