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BASF & IBM verlängern Zusammenarbeit
BASF hat neue Verkupferungs-chemikalien für Chiptechnologien entwickelt, das Ergebnis eines gemeinsamen Entwicklungsprogramms mit IBM, das seit Juni 2007 besteht.
Beide Unternehmen verlängern nun die Zusammenarbeit und stellen die Weichen für die Serienfertigung. Die entsprechende Technologie, sowie die Chemikalien und Materialien sollen voraussichtlich Mitte 2010 auf den Markt kommen.
"Das IBM-BASF-Team hat sich bei der Entwicklung chemischer Additivsysteme für einen neuen Ansatz entschieden, dem das mechanistische Verständnis der Kupferabscheidung zugrunde liegt“, erklärt Dr. Dieter Mayer, Senior Manager, Development Electronic Materials und BASF-Projektleiter. „Dank der starken Ressourcen und des Know-hows von BASF und IBM konnten wir die Herausforderungen der Verkupferung gemeinsam angehen. Damit können kleinere, schnellere und zuverlässigere Chips produziert werden."
Die größte Herausforderung für eine erfolgreiche Kupferabscheidung stellen defektfreie Leiterbahnen dar. Herkömmliches, gleichmäßiges Füllen bei der Verkupferung zeigt oben, unten und an der Seite der Leiterbahnen eine einheitliche Kupferabscheidungsrate, die zu Defekten führt.
Durch die BASF-Chemikalien ist ein schnelles Auffüllen (sog. „superfill“) möglich, das selbst kleinste Strukturen und Kontaktlöcher mit Kupfer füllt und so fehlerfreie Leiterbahnen schafft. Damit ergibt sich am Boden der Leiterbahn eine schnellere Kupferabscheidung als oben und an den Seitenwänden, heisst es in einer Mitteilung.
Die größte Herausforderung für eine erfolgreiche Kupferabscheidung stellen defektfreie Leiterbahnen dar. Herkömmliches, gleichmäßiges Füllen bei der Verkupferung zeigt oben, unten und an der Seite der Leiterbahnen eine einheitliche Kupferabscheidungsrate, die zu Defekten führt.
Durch die BASF-Chemikalien ist ein schnelles Auffüllen (sog. „superfill“) möglich, das selbst kleinste Strukturen und Kontaktlöcher mit Kupfer füllt und so fehlerfreie Leiterbahnen schafft. Damit ergibt sich am Boden der Leiterbahn eine schnellere Kupferabscheidung als oben und an den Seitenwänden, heisst es in einer Mitteilung.
