Pitch-Adapter in Dünnschichttechnologie

So wird zum Beispiel bei Gasdetektorsystemen oder großflächigen optischen Sensor-Halbleitern eine sehr hohe Anzahl von Verbindungen auf kleinstem Raum benötigt. Besonders die Kontaktierung unterliegt hier den Anforderungen, die sich aus der Miniaturisierung ergibt. Die Leitbahnen müssen eine sehr hohe Packungsdichte aufweisen. Dafür werden Verdrahtungsträger benötigt, die Strukturgeometrien mit einer sehr hohen Strukturauflösung ermöglichen. Diese werden vorzugsweise mittels Keramiksubstrate und Leitbahnmetallisierungen in Dünnschichttechnologie hergestellt. Als Trägersubstrate dienen Al2O3-Keramiken in den Qualitäten poliert oder „as fired“. Deren sehr gute Oberflächenqualität ist die Voraussetzung für die qualitätsgerechte Realisierung einer so hohen Strukturdichte, wie sie für Fine line Pitchadapter notwendig sind. So können Pitchadapter hergestellt werden, bei denen eine Strukturauflösung von 10µm für Line & Space erreichbar sind. Bei einer entsprechenden Anordnung der Bondpad-Geometrien kann damit auch ein Bond-Pitch von 40µm gestaltet werden. Die Funktionalität eines Pitchadapters kann durch die Anwendung spezieller Technologie-Abläufe bei der Fertigung wesentlich erhöht werden: - Kombination unterschiedlicher Systeme von Metallisierungen auf der Trägerkeramik - strukturierte Metallisierung auf der Vorder- und Rückseite des Trägersubstrates - selektiv metallisierte Strukturierungen - Vias/Durchkontaktierungen - Kantenkontakte mit SMD-Kontaktpads Zu den Leitbahnen in Fine line-Strukturen können weitere funktionale Elemente auf dem Keramiksubstrat realisiert werden wie: - SMD-Elektroniklayout - Planare Mikrowellenkomponenten/-strukturen - Planare Dünnschicht-Widerstände Somit können auf dem Trägersubstrat gleichzeitig unterschiedliche Kontaktierungsverfahren wie Bonden, Kleben und Löten angewendet werden. Der Pitchadapter selbst kann durch Kantenkontakte in einem weiteren Systemaufbau verwendet werden. ----- Quelle: RHe Microsystems