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Komponenten | 28 Dezember 2009

Infineon beendet Rechtsstreit mit Fairchild Semiconductor

Die Infineon Technologies AG legt den mit Fairchild Semiconductor gefĂŒhrten Rechtsstreit wegen Patentverletzungen bei.
Infineon hatte das Verfahren im November 2008 vor dem US-Gericht fĂŒr den Bezirk Delaware angestrengt. Gegenstand der Auseinandersetzung waren 14 Patente zu Super-Junction-Leistungstransistoren sowie Trench-Leistungs-MOSFETs und IGBT-Leistungstransistoren.

Patentabkommen
Beigelegt wurde der Rechtsstreit durch ein umfassendes gegenseitiges Patentabkommen ĂŒber Halbleitertechnologien. Im Rahmen dieser Vereinbarung wird Fairchild außerdem Zahlungen an Infineon leisten. Die konkreten Inhalte der Vereinbarung sind vertraulich. Infineon und Fairchild werden das zustĂ€ndige US-Gericht fĂŒr den Bezirk Delaware ĂŒber die Einigung unterrichten und die Einstellung des Verfahrens beantragen.

LizenzierungsgesprÀche
Als fĂŒhrendes Unternehmen der Halbleiterindustrie spricht Infineon zurzeit mit mehreren Halbleiterherstellern ĂŒber Patentlizenzen. Infineon misst diesen GesprĂ€chen wesentliche Bedeutung fĂŒr den fortgesetzten Schutz seines geistigen Eigentums und der Wahrung seiner wirtschaftlichen Interessen bei.
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2019.01.17 14:20 V11.11.0-1