Infineon beendet Rechtsstreit mit Fairchild Semiconductor

Infineon hatte das Verfahren im November 2008 vor dem US-Gericht für den Bezirk Delaware angestrengt. Gegenstand der Auseinandersetzung waren 14 Patente zu Super-Junction-Leistungstransistoren sowie Trench-Leistungs-MOSFETs und IGBT-Leistungstransistoren. Patentabkommen Beigelegt wurde der Rechtsstreit durch ein umfassendes gegenseitiges Patentabkommen über Halbleitertechnologien. Im Rahmen dieser Vereinbarung wird Fairchild außerdem Zahlungen an Infineon leisten. Die konkreten Inhalte der Vereinbarung sind vertraulich. Infineon und Fairchild werden das zuständige US-Gericht für den Bezirk Delaware über die Einigung unterrichten und die Einstellung des Verfahrens beantragen. Lizenzierungsgespräche Als führendes Unternehmen der Halbleiterindustrie spricht Infineon zurzeit mit mehreren Halbleiterherstellern über Patentlizenzen. Infineon misst diesen Gesprächen wesentliche Bedeutung für den fortgesetzten Schutz seines geistigen Eigentums und der Wahrung seiner wirtschaftlichen Interessen bei.