Anzeige
Anzeige
Anzeige
Anzeige
Komponenten | 13 Juni 2006

Intel erreicht weitere Verbesserungen bei stromsparenden Tri-Gate-Transistoren

Die Forscher bei Intel konnten die bereits vor Jahren entwickelten Tri-Gate-Transistoren sowohl hinsichtlich der Leistungsf√§higkeit, als auch die Energie-Effizienz weiter verbessern. Intel will diese Art von Transistoren unter anderem in der 45-nm-Technologie f√ľr zuk√ľnftige CPUs zum nutzen.
Gegen√ľber den planaren (flache, eindimensionale) Transistoren, die seit den 1950er-Jahren eingesetzt werden, nutzen die Tri-Gate-Transistoren eine dreidimensionale Struktur und verf√ľgen √ľber drei Gates. Die elektrischen Signale flie√üen nicht nur in einer Ebene, wie bei einem planaren Transistor, sondern in r√§umlichen Strukturen. Die Tri-Gate-Transistoren produzieren zudem deutlich geringere Leckstr√∂me, so dass die W√§rmeentwicklung und der Stromverbrauch von Prozessoren reduziert werden kann. Im Vergleich zu heutigen Transistoren mit 65-nm-Strukturen ben√∂tigen die Tri-Gate-Transistoren eine um 35% geringere Schaltleistung und erreichen einen 45% h√∂heren Steuerstrom. Zudem ist ein schnellerer Einschaltvorgang und damit h√∂here Taktfrequenzen oder um den Faktor 50 geringere Str√∂me im ausgeschalteten Zustand (Off-Current) m√∂glich.
Anzeige
Anzeige
Weitere Nachrichten
2019.02.15 09:57 V12.1.1-2