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Komponenten | 13 Juni 2006

Intel erreicht weitere Verbesserungen bei stromsparenden Tri-Gate-Transistoren

Die Forscher bei Intel konnten die bereits vor Jahren entwickelten Tri-Gate-Transistoren sowohl hinsichtlich der Leistungsfähigkeit, als auch die Energie-Effizienz weiter verbessern. Intel will diese Art von Transistoren unter anderem in der 45-nm-Technologie für zukünftige CPUs zum nutzen.
Gegenüber den planaren (flache, eindimensionale) Transistoren, die seit den 1950er-Jahren eingesetzt werden, nutzen die Tri-Gate-Transistoren eine dreidimensionale Struktur und verfügen über drei Gates. Die elektrischen Signale fließen nicht nur in einer Ebene, wie bei einem planaren Transistor, sondern in räumlichen Strukturen. Die Tri-Gate-Transistoren produzieren zudem deutlich geringere Leckströme, so dass die Wärmeentwicklung und der Stromverbrauch von Prozessoren reduziert werden kann. Im Vergleich zu heutigen Transistoren mit 65-nm-Strukturen benötigen die Tri-Gate-Transistoren eine um 35% geringere Schaltleistung und erreichen einen 45% höheren Steuerstrom. Zudem ist ein schnellerer Einschaltvorgang und damit höhere Taktfrequenzen oder um den Faktor 50 geringere Ströme im ausgeschalteten Zustand (Off-Current) möglich.

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