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Komponenten | 03 März 2008

Qimonda erwartet signifikante Produktivitätssteigerung

Der Speicherhersteller Qimonda heute ihre Technologie-Roadmap bis zur 30 nm-Generation für DRAM-Speicherchips mit Zellgrößen von bis zu 4F² vorgestellt.

Die innovative Buried Wordline DRAM-Technologie von Qimonda kombiniert hohe Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chipgrößen. Sie soll damit die weitere Entwicklung des diversifizierten Produktportfolios des Unternehmens vorantreiben. Qimonda führt diese Schlüsseltechnologie jetzt für Strukturbreiten von 65 nm ein. Der Produktionsbeginn für 1-Gbit-DDR2-Speicherchips ist für die zweite Jahreshälfte des Kalenderjahres 2008 geplant. „Diese neue Technologie hat Verbesserungspotenziale bei Produktivität und Kosten pro Bit, die in der Geschichte unseres Unternehmens einmalig sind”, erklärte Kin Wah Loh, Vorstandsvorsitzender der Qimonda AG: „Wir sind die Ersten in unserer Industrie, die eine Technologie-Roadmap zur Einführung der 30 nm-Generation vorlegen, die kleinste Zellgrößen von 4F² ermöglichen wird. Die Einführung ist das Ergebnis unserer kontinuierlichen Arbeit als ein führendes Unternehmen bei der Entwicklung von innovativen Lösungen für Speicherprodukte. Dieser Schritt eröffnet uns auch die Möglichkeit zu weiteren Partnerschaften.“ Qimonda plant den Start der Massenfertigung seiner 46 nm Buried Wordline-Technologie für die zweite Jahreshälfte 2009. Diese Strukturbreite ermöglicht mehr als doppelt so viele Bits pro Wafer im Vergleich zur 58 nm Trench-Technologie. Für die Umstellung von der aktuellen Trench-Technologie auf die Buried Wordline-Technologie erwartet Qimonda einen zusätzlichen, einmaligen Investitionsaufwand in Höhe von etwa 100 Millionen Euro in den Geschäftsjahren 2009 und 2010, der voraussichtlich über den Cashflow finanziert wird. Dieser relativ geringe zusätzliche Investitionsaufwand resultiert aus der Kombination von Qimonda’s Buried Wordline und vereinfachten Fertigungsprozessen mit einem marktüblichen Stack Kondensator.
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