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Komponenten | 27 Februar 2008

AMD und IBM Alliance testen EUV-Lithografie

Im AMD Werk in Dresden ist es AMD und IBM erstmals gelungen, eine ganze Ebene eines Chips per EUV (Extreme Ultra-Violet) zu belichten. Das Verfahren ist notwendig um k├╝nftig Halbleiter mit Strukturbreiten unter 32 Nanometern herstellen zu k├Ânnen. Es soll etwa ab 2016 zur Belichtung von Fotomasken zum Einsatz kommen.
Die Wellenl├Ąngen des heute verwendeten Lichtes sind zu lang, um k├╝nftig Halbleiter mit Strukturbreiten unter 32 Nanometern herstellen zu k├Ânne. Daher forschen bereits seit Jahren zahlreiche Halbleiter-Hersteller im Bereich der "Extreme Ultra-Violet Litography" (EUV). Bei den nun erstmals vollfl├Ąchig mit EUV-Lithografie bearbeitet Testchips der IBM Alliance handelt es sich um Wafer, auf denen zun├Ąchst in der Dresdner AMD-Fab 36 mit 193-Nanometer-Laserlicht und Immersionslithografie Dice mit einer Fl├Ąche von jeweils 22 Millimetern ├Ś 33 Millimetern und 45-Nanometer-Strukturen erzeugt wurden. Die erste Metalllage dieser Dice wurde anschlie├čend im Forschungslabor der IBM Alliance am NanoTech-Institut der Universit├Ąt Albany (CNSE) vollfl├Ąchig mit EUV-Lithografie strukturiert. Nach weiteren Bearbeitungsschritten konnten die Chips erfolgreich getestet werden. Au├čer AMD arbeiten bei der Erforschung des Verfahrens auch Chartered, Freescale, Infineon, Toshiba und Samsung mit IBM zusammen.
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2019.03.15 12:31 V12.5.5-2