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Komponenten | 27 Februar 2008

AMD und IBM Alliance testen EUV-Lithografie

Im AMD Werk in Dresden ist es AMD und IBM erstmals gelungen, eine ganze Ebene eines Chips per EUV (Extreme Ultra-Violet) zu belichten. Das Verfahren ist notwendig um künftig Halbleiter mit Strukturbreiten unter 32 Nanometern herstellen zu können. Es soll etwa ab 2016 zur Belichtung von Fotomasken zum Einsatz kommen.
Die Wellenlängen des heute verwendeten Lichtes sind zu lang, um künftig Halbleiter mit Strukturbreiten unter 32 Nanometern herstellen zu könne. Daher forschen bereits seit Jahren zahlreiche Halbleiter-Hersteller im Bereich der "Extreme Ultra-Violet Litography" (EUV).

Bei den nun erstmals vollflächig mit EUV-Lithografie bearbeitet Testchips der IBM Alliance handelt es sich um Wafer, auf denen zunächst in der Dresdner AMD-Fab 36 mit 193-Nanometer-Laserlicht und Immersionslithografie Dice mit einer Fläche von jeweils 22 Millimetern × 33 Millimetern und 45-Nanometer-Strukturen erzeugt wurden. Die erste Metalllage dieser Dice wurde anschließend im Forschungslabor der IBM Alliance am NanoTech-Institut der Universität Albany (CNSE) vollflächig mit EUV-Lithografie strukturiert. Nach weiteren Bearbeitungsschritten konnten die Chips erfolgreich getestet werden.

Außer AMD arbeiten bei der Erforschung des Verfahrens auch Chartered, Freescale, Infineon, Toshiba und Samsung mit IBM zusammen.

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