Kooperation bei Galliumnitrid-Technologie für Autoindustrie
ROHM und TSMC sind eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementen für den Einsatz in Elektrofahrzeugen eingegangen. Diese Partnerschaft werde ROHMs Technologie zur Entwicklung von Bauelementen mit der GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie von TSMC kombinieren, heißt es in einer Pressemitteilung.
Damit solle auch die wachsende Nachfrage nach herausragenden Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden.
GaN-Leistungsbauelemente werden derzeit in Verbraucher- und Industrieanwendungen wie Netzteilen und Serverstromversorgungen eingesetzt. TSMC unterstützt die GaN-Technologie aufgrund ihrer potenziellen Umweltvorteile in Automobilanwendungen wie On-Board-Ladegeräten und Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (EVs).
Die Partnerschaft baut auf der Zusammenarbeit von ROHM und TSMC bei GaN-Leistungsbauelementen auf. Im Jahr 2023 hatte ROHM die 650-V-GaN-HEMT- (High-Electron Mobility Transistors) Technologie von TSMC eingeführt. Diese kommt als Teil von ROHMs EcoGaN-Serie zunehmend in Bauelementen für Verbraucher- und Industrieanwendungen zum Einsatz. Dazu gehört auch der 45-W-Wechselstromadapter (Schnellladegerät) „C4 Duo“ von Innergie, einer Marke von Delta Electronics, Inc.
„GaN-Bauelemente, die für den Hochfrequenzbetrieb geeignet sind, werden mit Spannung erwartet, da sie zur Miniaturisierung und Energieeinsparung beitragen und so umweltfreundliche Prozesse fördern. Für die Umsetzung dieser Innovationen in der Gesellschaft sind zuverlässige Partner unerlässlich. Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit TSMC, einem Unternehmen, das über eine weltweit führende fortschrittliche Fertigungstechnologie verfügt“, so Katsumi Azuma, Mitglied des Vorstands und Senior Managing Executive Officer bei ROHM.
„Während wir die nächsten Generationen unserer GaN-Prozesstechnologie weiterentwickeln, erweitern TSMC und ROHM ihre Partnerschaft auf die Entwicklung und Produktion von GaN-Leistungsbauelementen für Automobilanwendungen“, ergänzt Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development bei TSMC.