Meilenstein im neuen Halbleiter-F&E-Komplex
Samsung plant, bis 2030 rund 20 Billionen KRW in die Forschung und Entwicklung von Halbleitern zu investieren. Dazu hat der Konzern jetzt seinen neuen Halbleiter-Forschungs- und Entwicklungskomplex (NRD-K) auf seinem Campus in Giheung eingeweiht und damit nach eigenen Angaben einen bedeutenden Sprung in die Zukunft gemacht hat.
2022 war die Grundsteinlegung für NRD-K erfolgt. Der Komplex soll zu einer wichtigen Forschungsbasis für Samsungs Forschung und Entwicklung in den Bereichen Speicher, System-LSI und Foundry-Halbleiter werden. Dank der fortschrittlichen Infrastruktur werden Forschung und Produktprüfung unter einem Dach stattfinden können. Samsung plant, bis zum Jahr 2030 etwa 20 Billionen KRW in den Komplex zu investieren, der eine Fläche von etwa 109.000 Quadratmetern auf dem Giheung-Campus umfasst. Der Komplex wird auch eine eigene F&E-Linie umfassen, die Mitte 2025 in Betrieb gehen soll.
„NRD-K wird unser Entwicklungstempo erhöhen und das Unternehmen in die Lage versetzen, einen positiven Kreislauf zu schaffen, um die Grundlagenforschung für Technologien der nächsten Generation und die Massenproduktion zu beschleunigen. Wir werden in Giheung, wo die 50-jährige Halbleitergeschichte von Samsung Electronics begann, den Grundstein für einen neuen Sprung nach vorn legen und eine neue Zukunft für die nächsten 100 Jahre schaffen“, sagt Young Hyun Jun, stellvertretender Vorsitzender und Leiter der Device Solutions Division bei Samsung Electronics.
„In einer Zeit, in der Win-Win-Partnerschaften wichtiger denn je sind, hat sich Applied Materials verpflichtet, die Innovationsgeschwindigkeit durch eine enge Zusammenarbeit mit Samsung Electronics zu beschleunigen und gemeinsam eine neue Wachstumswelle für die Halbleiterindustrie anzustoßen“, so Park Gwang-Sun, Leiter von Applied Materials Korea.
