Infineon für Deutschen Zukunftspreis nominiert
Die Infineon Technologies AG ist für die Entwicklung eines neuartigen Energiesparchips auf Basis des innovativen Halbleitermaterials Siliziumkarbid für den Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert. Die Jury hat die insgesamt drei nominierten Teams jetzt in München bekanntgegeben. Einem Entwickler-Team von Infineon sei es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300V-Spannungsklasse zu entwickeln, heißt es zur Begründung.
Bei den neuen SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern handelt es sich um einen nach eigenen Angaben revolutionären Innovationssprung in der Halbleitertechnologie von herkömmlichem Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, durch den sich Schaltverluste bei Hochstromanwendungen um 90 Prozent reduzieren würden.
MOSFETs sind elektrische Halbleiterschalter für eine Vielzahl an Anwendungen. Trench-MOSFETs unterscheiden sich von so genannten planaren MOSFETs in ihrer Zellstruktur und Leistungsfähigkeit. Während bei planaren MOSFETs der Stromfluss zunächst horizontal verläuft, bieten Trench-MOSFETs rein vertikale Kanäle. Damit ergibt sich eine höhere Zelldichte pro Fläche, was wiederum die Verluste im Chip bei der Energiewandlung deutlich senkt und damit die Effizienz steigert.
„Innovative Energielösungen und Leistungshalbleiter sind eine Kernkomponente bei der Dekarbonisierung und Bekämpfung des Klimawandels, das hat die Fachjury des Deutschen Zukunftspreises erkannt. Ich bin stolz, dass wir bei Infineon mit zukunftsweisender Technologie einen wesentlichen Beitrag zu einer grünen Zukunft leisten können“, so Dr. Peter Wawer, Divisionspräsident Green Industrial Power bei Infineon.
Bundespräsident Steinmeier überreicht den Deutschen Zukunftspreis am 27. November an die diesjährigen Preisträgerinnen und Preisträger.