Infineon präsentiert 300-Millimeter-GaN-Power-Technologie
Die Infineon Technologies AG lässt aufhorchen. Dem Unternehmen sei es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon sei das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrsche, heißt es in der dazugehörigen Pressemitteilung.
Dieser Durchbruch werde dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht.
Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden schnelle Verbreitung in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen („Consumer, Computing & Communications“). Beispiele sind Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Modernste GaN-Fertigungsverfahren verbessern die Leistung der Bauelemente. Das ermöglicht eine höhere Effizienz, geringere Größe und Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden. Die 300-Millimeter-Fertigung sichere Kunden darüber hinaus eine hervorragende Versorgungsstabilität durch Skalierbarkeit.
„Dieser bemerkenswerte Erfolg ist das Ergebnis unserer Innovationskraft und der engagierten Arbeit unseres globalen Teams und unterstreicht unsere Position als Innovationsführer in den Bereichen GaN und Power-Systemen“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG.
Dieser technologische Durchbruch werde die Branche verändern und helfen, das volle Potenzial von Galliumnitrid zu erschließen. Weniger als ein Jahr nach der Übernahme von GaN Systems beweise man erneut, dass man entschlossen sei, eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen, heißt es weiter.
Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach in Österreich herzustellen. Das Unternehmen nutzt dabei seine Kompetenz in der 300-Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion. Infineon werde die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen.