Die Entwicklung von Siliziumkarbid in der E-Mobilität
Mit der zunehmenden Verbreitung von Elektrofahrzeugen steigt auch die Bedeutung von Siliziumkarbid (SiC) auf dem Markt. Leistungsbauteile auf SiC-Basis übertreffen herkömmliche Siliziumbauteile durch höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge, geringere Verluste und besseres Wärmemanagement und ermöglichen so effizientere, kompaktere und leichtere Leistungssysteme.
Im Zeitalter der Elektromobilität war die Nachfrage nach effizienten und leistungsstarken Leistungshalbleitern noch nie so groß wie heute. Siliziumkarbid (SiC) hat sich in diesem Bereich als bahnbrechendes Material erwiesen, das überlegene elektrische Eigenschaften aufweist und bedeutende Fortschritte in der Elektrofahrzeugtechnologie ermöglicht.
Während der Evertiq Expo in Göteborg am 19. September 2024 wird Riccardo Nicoloso, General Manager des Geschäftsbereichs New Materials and Power Solutions bei STMicroelectronics, auf der Bühne die Entwicklung von SiC im Trend der Elektromobilität erörtern und sich dabei auf die Auswirkungen auf die Entwicklung des EV-Marktes, die Effizienz des Antriebsstrangs und neue Automobilanwendungen konzentrieren.
© STMicroelectronics
STMicroelectronics führte 2004 seine ersten SiC-Dioden ein, nachdem jahrelang an der Siliziumkarbid-Technologie geforscht worden war. Es folgte die Einführung von SiC-MOSFETs im Jahr 2009, die 2014 in die Massenproduktion gingen. Heute bietet ST eines der branchenweit breitesten Sortimente an SiC-Leistungsprodukten für den Mittel- und Hochspannungsbereich an. Das Unternehmen erweitert seine Produktionskapazitäten und baut eine robuste SiC-Lieferkette auf, um die wachsende Nachfrage zu befriedigen und langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten.
ST hat vor kurzem Pläne für den Bau einer neuen, hochvolumigen 200-mm-SiC-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und Module sowie für Test- und Verpackungszwecke in Catania in Italien bekannt gegeben. Zusammen mit der SiC-Substrat-Fertigungsanlage, die am gleichen Standort vorbereitet wird, bilden diese Einrichtungen den Siliziumkarbid-Campus von ST. Die neue Anlage soll 2026 die Produktion aufnehmen und bis 2033 die volle Kapazität erreichen - mit bis zu 15.000 Wafern pro Woche bei Vollausbau.
Die Analysten der Yole Group sehen eine starke Nachfrage nach SiC-Leistungsbauelementen, die vor allem durch EV-Anwendungen, aber auch durch die wachsende Akzeptanz der Technologie in der Industrie und im industriellen Energiesektor angetrieben wird. Laut dem Q2 2024 Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor der Yole Group wird erwartet, dass der Markt für SiC-Leistungsbauelemente bis 2029 ein Volumen von 10 Milliarden US-Dollar erreichen wird, wobei fast 8 Milliarden US-Dollar auf die Bereiche Automobil und Mobilität sowie Transport entfallen.
