Liefervereinbarung für Siliziumkarbid-Wafer erweitert
ROHM und STMicroelectronics haben die Erweiterung des bestehenden mehrjährigen, langfristigen Liefervertrags für 150-mm-Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafer mit SiCrystal, einem Unternehmen der ROHM-Gruppe, bekannt gegeben. Der neue Mehrjahresvertrag regelt die Lieferung größerer Mengen von SiC-Substratwafern, die in Nürnberg hergestellt werden. Der Mindestwert: Rund 230 Millionen US-Dollar.
„Diese erweiterte Vereinbarung mit SiCrystal wird zusätzliche Mengen an 150mm SiC-Substrat-Wafern liefern, um den Kapazitätsausbau unserer Bauelementefertigung für Automobil- und Industriekunden weltweit zu unterstützen. Sie trägt dazu bei, unsere Lieferkette für zukünftiges Wachstum zu stärken, mit einer ausgewogenen Mischung aus interner und kommerzieller Belieferung in verschiedenen Regionen", sagt Geoff West, EVP und Chief Procurement Officer, STMicroelectronics.
„SiCrystal ist ein Unternehmen der ROHM-Gruppe und stellt seit vielen Jahren SiC-Substratwafer her. Wir sind sehr erfreut, diese Liefervereinbarung mit unserem langjährigen Kunden ST zu verlängern. Wir werden unseren Partner weiterhin bei der Ausweitung des SiC-Geschäfts unterstützen, indem wir die Mengen an 150mm SiC-Substrat-Wafern kontinuierlich erhöhen", so Dr. Robert Eckstein, Präsident und CEO von SiCrystal.
Energieeffiziente SiC-Leistungshalbleiter ermöglichen eine nachhaltigere Elektrifizierung im Automobil- und Industriesektor.
