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Markt |

Vishay setzt auf Technologie von AIXTRON

Vishay Intertechnology, Inc. hat sich für die G10-SiC von AIXTRON entschieden, um die eigenen Kapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zur Produktion von Leistungsbauelementen hochzufahren. Die Lösung von AIXTRON soll künftig in Vishays automotive-zertifizierter Newport-Fabrik in Südwales zum Einsatz kommen.

Die flexible Konfiguration der G10-SiC mit 9x150 mm oder 6x200 mm Wafern unterstütze den einfachen Wechsel zu größeren Wafer-Durchmessern, heißt es dazu in einer Mitteilung.

Vishay ist nach eigenen Angaben einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern und passiven elektronischen Komponenten. Diese Bauteile kommen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Konsumgüter, Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizintechnik in allen Arten von elektronischen Geräten und Systemen zum Einsatz.

„Die neue G10-SiC Epi-Produktionsanlage für die 200 mm Epitaxie ermöglicht eine hervorragende Kostenstruktur, die den Produktivitätszielen von Vishay entspricht. Dies in Kombination mit einer exzellenten Gleichförmigkeit über den gesamten 200-mm-Waferdurchmesser hinweg hat uns dazu veranlasst, AIXTRON-Technologie zu wählen. Das AIXTRON-Team hat eine einzigartige Lösung für präzise Kontrolle von Dotierstoffen und Schichtdicken auf 200 mm SiC-Wafern entwickelt“, sagt Danilo Crippa, Senior Director R&D für SiC-Entwicklung, Vishay Intertechnology, Inc.

„Wir freuen uns über die Gelegenheit, eng mit Vishay zusammenzuarbeiten und unser hochmodernes Epi-Produktionssystem mit flexibler 150 und 200 mm-SiC-Waferkonfiguration für Vishays automotive-zertifizierte Fabrik in Newport (Südwales) zu liefern. Unser starkes Kundenservice-Team im South Wales Compound Semiconductor Cluster unterstützt Vishay dabei, die SiC-Inhouse-Epitaxie in kürzester Zeit auf höchste Produktivität zu bringen“, so Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC, AIXTRON SE.

Seit ihrer Markteinführung im September 2022 habe sich AIXTRONs G10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für 150 mm- und 200 mm-SiC-Epitaxie entwickelt, heißt es in der Mitteilung weiter. Dank der neuesten technologischen Fortschritte biete die Anlage erstklassige Uniformität in Kombination mit dem höchsten Wafer-Durchsatz pro Quadratmeter Reinraumfläche auf dem Markt. Damit ermögliche sie die Produktion von SiC-Leistungsbauelementen zu den niedrigsten Betriebskosten. 


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2024.05.14 07:33 V22.4.46-2
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