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Markt |

DNP will neue Maßstäbe bei Fotomasken setzen

Dai Nippon Printing hat mit der Entwicklung einer Fotomaske für die Herstellung von Logik-Halbleitern der 2-Nanometer-Generation begonnen, die die Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV), das modernste Verfahren für die Halbleiterherstellung, unterstützt. DNP werde auch als Unterauftragnehmer fungieren und die neu entwickelte Technologie an die in Tokio ansässige Rapidus Corporation liefern, heißt es.

Rapidus beteiligt sich an dem Forschungs- und Entwicklungsprojekt 'Enhanced Infrastructures for Post-5G Information and Communication Systems', das von der New Energy and Industrial Technology Development Organization initiiert wurde. Man habe die Fähigkeit gestärkt, moderne Halbleiter mit hoher Produktivität und Qualität herzustellen. 2016 war DNP nach eigenen Angaben der weltweit erste Hersteller von Handelsfotomasken, der das Multi-Beam Mask Writing Tool (MBMW) eingeführt hat. Im Jahr 2023 habe man die Entwicklung eines Prozesses zur Herstellung von Fotomasken für die EUV-Lithografie der 3-nm-Generation abgeschlossen und mit der Entwicklung der 2-nm-Generation begonnen. 

Als Reaktion auf den Bedarf an weiterer Miniaturisierung werde man im Geschäftsjahr GJ 2024 mit der Entwicklung eines Fotomasken-Herstellungsprozesses für die EUV-Lithografie der 2-nm-Generation beginnen, einschließlich des Betriebs der zweiten und dritten Multi-Elektronenstrahl-Maskenlithografiesysteme, heißt es in einer Mitteilung. DNP plant, sein zweites und drittes MBMW-Maskenlithografiesystem im GJ 2024 in Betrieb zu nehmen und damit die Entwicklung von Fotomasken für die EUV-Lithografie der 2-nm-Generation zu beschleunigen. DNP soll im Rahmen des bereits erwähnten F&E-Projekts der NEDO als Unterauftragnehmer von Rapidus bei der Entwicklung Advanced Semiconductor Manufacturing Technology tätig sein.

Bis zum GJ 2025 will DNP die Entwicklung eines Herstellungsprozesses für Photomasken für Logik-Halbleiter der 2-nm-Generation abschließen, die die EUV-Lithographie unterstützen. Ab dem GJ 2026 werde dann der Aufbau der Produktionstechnologie vorangetrieben, um im GJ 2027 mit der Massenproduktion zu beginnen. Zudem habe man auch mit der Entwicklung im Hinblick auf die 2-nm-Generation und darüber hinaus begonnen und eine Vereinbarung mit imec, einer internationalen Forschungseinrichtung mit Hauptsitz in Leuven in Belgien unterzeichnet, um gemeinsam EUV-Photomasken der nächsten Generation zu entwickeln. 


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2024.04.15 11:45 V22.4.27-2
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