Infineon stellt neue CoolSiC MOSFET-Technologie vor
Die Infineon Technologies AG hat die nächste Generation der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Trench-Technologie vorgestellt. Wie das Unternehmen mitteilt, verbessere, die neue Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V Generation 2 die Leistungskennzahlen von MOSFETs wie Speicherladung und Verlustenergien um mehr als 20 Prozent ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die Technologie ermögliche eine höhere Gesamtenergieeffizienz und treibt die Dekarbonisierung weiter voran.
Die CoolSiC MOSFET-Technologie der zweiten Generation (G2) steigert konkret die Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid, indem sie weniger Energieverluste und damit einen höheren Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung ermöglicht. Hier böten sich Vorteile für Kunden in verschiedenen Halbleiteranwendungen wie Photovoltaik, Energiespeicherung, EV-Laden, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung, heißt es in einer Mitteilung.
Eine Gleichstrom (DC)-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet ist, erleide beispielsweise bis zu zehn Prozent weniger Leistungsverluste im Vergleich zu früheren Generationen und erziele eine höhere Ladekapazität bei gleichbleibenden Größenverhältnissen. Durch den Einsatz von Traktionswechselrichtern, die auf CoolSiC G2-Geräten basieren, könne die Reichweite eines Elektrofahrzeugs weiter erhöht werden.
„Megatrends verlangen nach neuen und effizienten Wegen, Energie zu erzeugen, zu übertragen und zu verbrauchen. Mit dem CoolSiC MOSFET G2 hat Infineon ein neues Leistungsniveau bei Siliziumkarbid erreicht“, sagt Dr. Peter Wawer, Divisionspräsident Green Industrial Power bei Infineon.
