Renesas erweitert sein Leistungshalbleiterportfolio
Renesas Electronics Corporation und Transphorm, Anbieter von robusten Galliumnitrid-Leistungshalbleitern, haben eine endgültige Vereinbarung getroffen, nach der eine Tochtergesellschaft von Renesas alle im Umlauf befindlichen Stammaktien von Transphorm für 5,10 US-Dollar pro Aktie in bar erwerben wird.
Dies entspricht einem Aufschlag von rund 35 Prozent auf den Schlusskurs von Transphorm am 10. Januar 2024 sowie einem Aufschlag von etwa 56 Prozent auf den volumengewichteten Durchschnittskurs der letzten zwölf Monate und einem Aufschlag von rund 78 Prozent auf den volumengewichteten Durchschnittskurs der letzten sechs Monate.
Die Transaktion bewertet Transphorm mit rund 339 Millionen US-Dollar. Durch die Übernahme verfüge Renesas über eine eigene GaN-Technologie, ein Grundmaterial für Leistungshalbleiter der nächsten Generation, heißt es in einer Erklärung. Das Unternehmen baue damit seine Position in schnell wachsenden Märkten wie Elektromobilität, Computing (Rechenzentren, KI, Infrastruktur), erneuerbaren Energien, industrieller Leistungsumwandlung und Schnellladegeräten/Adaptern weiter aus.
Renesas möchte sein WBG-Portfolio mit der Expertise von Transphorm im Bereich GaN weiter ausbauen. Hierbei handelt es sich um ein zukunftsweisendes Material, das höhere Schaltfrequenzen, geringere Leistungsverluste und kleinere Formfaktoren ermöglicht. Diese Vorteile würden eine höhere Effizienz der Anwendersysteme, eine kleinere und leichtere Bauweise sowie niedrigere Gesamtkosten bieten.
Laut einer Branchenstudie wird die Nachfrage nach GaN jährlich um mehr als 50 Prozent steigen. Renesas will die für die Automotive-Branche qualifizierte GaN-Technologie von Transphorm bei der Entwicklung neuer, verbesserter Power-Lösungen einsetzen. Hierzu gehören X-in-1-Antriebsstranglösungen für Elektrofahrzeuge sowie Computing-, Energie-, Industrie- und Consumer-Anwendungen.
„Transphorm ist ein Unternehmen, das von einem Team mit langjähriger Erfahrung auf dem Gebiet der GaN-Power-Technologie einzigartig geführt wird und von der University of California in Santa Barbara kommt. Die Einbindung der GaN-Technologie von Transphorm baut auf unserem Momentum in den Bereichen IGBT und SiC auf. Sie wird unser Leistungshalbleiterportfolio als wichtige Wachstumssäule stärken und ausbauen“, sagt Hidetoshi Shibata, CEO von Renesas.
„Mit der weltweiten Präsenz, dem breiten Lösungsangebot und den Kundenbeziehungen von Renesas freuen wir uns, gemeinsam den Weg für die branchenweite Nutzung von WBG-Materialien zu ebnen und die Voraussetzungen für ein bedeutendes Wachstum zu schaffen“, ergänzen Dr. Primit Parikh, Mitbegründer, President & CEO von Transphorm und Dr. Umesh Mishra, Mitbegründer & CTO von Transphorm.