A*STAR und centrotherm arbeiten an 200mm-SiC-Technologie
Die beiden Unternehmen aus Singapur werden thermische Prozesse für die Herstellung von SIC-Bauelementen entwickeln. Die Partnerschaft kombiniere die 200-mm-SiC-Pilotanlage von A*STAR mit den Diffusions- und Glühwerkzeugen von centrotherm, heißt es in einer Mitteilung.
Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis sind energieeffizienter und haben höhere Schaltfrequenzen als herkömmliche Halbleiter auf Siliziumbasis. Daher sind sie bei Unternehmen, die Elektrofahrzeuge, elektrische Züge, Datenzentren und Stromnetze herstellen, sehr gefragt.
Trotz ihrer vielversprechenden Eigenschaften haben SiC-Substrate jedoch auch ihre Schwächen. Das A*STAR Institute of Microelectronics und centrotherm glauben, dass sie hier Fortschritte erzielen können. So planen sie beispielsweise die Entwicklung von Techniken zur Optimierung der Graben- und Gate-Oxidbildung, die die Leistung von SiC-basierten Bauelementen wie Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) und Dioden verbessern können.
centrotherm wird nach eigenen Angaben ein spezielles Technologieteam in Singapur bilden, das technologisches Know-how und Unterstützung vor Ort für die Partnerschaft anbietet.
