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AIXTRON G10-GaN unterstützt BelGaN bei GaN-Geschäftsausbau

AIXTRON SE gibt der Halbleiter-Foundry BelGaN die Möglichkeit, ihr Geschäft auf den wachsenden GaN-Markt auszuweiten und damit die Verbreitung von GaN-Technologie weiter voranzutreiben. Für diesen wichtigen strategischen Schritt setzt BelGaN auf AIXTRONs neue G10-GaN-Anlage, die sich durch eine nach eigenen Angaben erstklassige Leistung, ein völlig neues, kompaktes Design und insgesamt niedrigste Kosten pro Wafer auszeichnet.

Die Anlage in einer 8x150mm-Konfiguration wird bis Ende 2023 an die BelGaN-Produktionsstätte in Oudenaarde in Belgien geliefert und später auf 5x200mm migriert. BelGaN, eine führende GaN-qualifizierte offene Halbleiter-Foundry in Europa, hat kürzlich den Produktionsstart der ersten Generation ihrer 650V eGaN-Technologie bekannt gegeben. Die Gen1-Plattform ist für die Anforderungen energieeffizienter Anwendungen im Hinblick auf Nachhaltigkeit und CO2-Neutralität konzipiert.

Mit der G10-GaN werde die Bandbreite der Leistungschips mit Spannungen von 40V bis 1200V unter Verwendung von GaN auf Silizium (Si), GaN auf Silizium-auf-Isolator-Substraten (SOI) und auf neuartigen für GaN konzipierten Substraten weiter ausgebaut. Dies gelte sowohl für laterale als auch vertikale Leistungs-GaN-Produkte, heißt es in einer Mitteilung. Der Schwerpunkt dabei liege auf hoher Leistung, einer Qualität, wie sie in der Automobilindustrie gefordert wird, Zuverlässigkeit, einer hohen Ausbeute und niedrigen Kosten.

„Die GaN-Epitaxie mittels MOCVD ist ein äußerst kritischer Prozess in jeder Power-GaN-Technologie. Damit ist es möglich, sowohl innovative Bauelementarchitekturen zu entwickeln, die eine höhere Leistung, Ausbeute und Qualität erzielen, als auch die Kosten für GaN-Produkte zu senken. Dies führt zu einem Paradigmenwechsel in der Leistungselektronik und eröffnet schnell wachsende Märkte unter anderem in den Bereichen E-Mobilität, Datenkommunikation, und bei der Energieumwandlung – auf dem Weg zu einer elektrifizierten, klimaneutralen Gesellschaft. Wir schätzen den technologischen Vorsprung, die Vorreiterrolle und die kontinuierliche Innovation von AIXTRON sehr“, sagt Dr. Marnix Tack, CTO und Vice President Business Development von BelGaN.

„Wir sind sehr stolz darauf, dass BelGaN sich für AIXTRON und unser neuestes, innovatives Powerhouse, die G10-GaN, entschieden hat, um den wichtigen strategischen Meilenstein der GaN-Epitaxie in seiner bestehenden GaN-Prozesslinie in Oudenaarde (Belgien) zu erreichen. Derzeit werden GaN-Leistungsbauelemente in einer Vielzahl von Anwendungen rasch eingeführt, und viele Kunden erweitern ihre Siliziumlinien um GaN-Kapazitäten“, so Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Die neue G10-GaN-Cluster-Lösung baut auf den Grundlagen von AIXTRONs derzeitiger Referenzanlage, der G5+ C, auf. AIXTRONs Kunden profitierten von deutlich geringeren Betriebskosten, die um mehr als 25 Prozent geringer ausfallen als bei allen anderen derzeit auf dem Markt verfügbaren Systemen, heißt es abschließend.


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2024.02.28 11:54 V22.3.46-1