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© GlobiTech
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AIXTRON unterstützt GlobiTech Inc. bei Siliziumkarbid

AIXTRON SE unterstützt die Foundry GlobiTech Inc. dabei ihr Geschäft auf Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie auszuweiten. Die Grundlage hierfür bildet AIXTRONs neue G10-SiC-Anlage: Sie ermögliche es GlobiTech die SiC-Epitaxie-Produktion schnell ins Volumen zu bringen, um die global steigende Nachfrage nach Power SiC -Epi-Wafern zu bedienen, heißt es in einer Mitteilung.

GlobiTechs Entscheidung für die G10-SiC sei eine zukunftsweisende Investition; denn AIXTRONs neues System, das eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen von 9×150 und 6×200 mm bietet, ermögliche den höchsten Durchsatz pro Produktionsfläche, der aktuell in der SiC-Industrie erreicht wird.

Die G10-SiC wurde offiziell im September 2022 vorgestellt. Innerhalb kürzester Zeit hat sich den Angaben nach die neue Anlage zum Referenzsystem für Hersteller von Leistungselektronik auf Basis von 150- und 200-mm-SiC-Bauelementen sowie für Foundries wie GlobiTech entwickelt. GlobiTech ist eine hundertprozentige Tochtergesellschaft von GlobalWafers Co., die Siliziumkarbid- und Silizium-Epitaxie-Wafer herstellt und sich auf den Energiesektor und das Marktsegment der Elektrofahrzeuge (EV) konzentriert.

Wenn einer der größten Epi-Wafer-Hersteller und Foundries wie GlobiTech sein Geschäft diversifiziert, ist das ein klares Signal für einen langanhaltenden Trend in der Halbleiterindustrie. SiC ersetzt in immer mehr Anwendungen das klassische Silizium. Entscheidet sich ein führendes Unternehmen wie GlobiTech für AIXTRON und für unsere neue G10-SiC, ist es darüber hinaus natürlich eine große Ehre und gleichzeitig noch vielmehr: Denn es bestätigt unsere Gesamtstrategie und ist ein Indiz für weiteres Wachstum”, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

GlobiTech mit Sitz in Sherman im US-Bundesstaat Texas nutzt neben der G10-SiC von AIXTRON aktuell auch Anlagen des Typs G5WW C, um damit im industriellen Maßstab zu produzieren. In den kommenden Jahren würden weitere Anlagenkapazitäten installiert, heißt es.

„Mit AIXTRON haben wir einen starken Partner gefunden, der uns dabei unterstützt, unsere Vision sowie unsere Pläne und das Geschäft auf den SiC-Epitaxie-Markt auszuweiten. Das ist ein entscheidender Schritt, da die SiC-Technologie einer der am schnellsten wachsenden Zweige in der Halbleiterindustrie ist. Mit den AIXTRON-Anlagen gelingt es uns, in unserer Fab den höchsten Wafer-Ertrag zu erzielen“, so Mark England, Präsident von GlobalWafers.


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2024.04.15 11:45 V22.4.27-2
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