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STMicroelectronics beginnt Produktion von PowerGaN-Bauteilen

STMicroelectronics hat mit der Serienproduktion von e-mode PowerGaN HEMT-Bauelementen (High-Electron-Mobility-Transistoren) begonnen, die das Design von hocheffizienten Leistungswandlersystemen vereinfachen. Die STPOWER™ GaN-Transistoren erhöhten die Leistung in Anwendungen wie Wandadaptern, Ladegeräten, Beleuchtungssystemen, industriellen Stromversorgungen, Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien und bei der Elektrifizierung von Fahrzeugen, heißt es in einer Pressemitteilung.

Die ersten beiden Produkte der Familie, der SGT120R65AL und der SGT65R65AL, sind industrietaugliche normal-aus 650-V-G-HEMT™ in einem PowerFLAT 5x6 HV-Gehäuse für Oberflächenmontage. Neben der geringeren Größe und dem geringeren Gewicht der Netzteile und Adapter würden die beiden neuen GaN-Transistoren einen höheren Wirkungsgrad, eine niedrigere Betriebstemperatur und eine längere Lebensdauer bieten.

In den kommenden Monaten will ST neue PowerGaN-Varianten, das heißt für die Automobilindustrie qualifizierte Bauelemente, sowie zusätzliche Power-Package-Optionen wie PowerFLAT 8x8 DSC und LFPAK 12x12 für Anwendungen mit hoher Leistung einführen. Es wird erwartet, dass GaN in Zukunft auch neue Leistungswandlertopologien ermöglichen wird, die den Wirkungsgrad weiter verbessern und die Leistungsverluste verringern werden.

ST verfügt nach eigenen Angaben über hohe Produktionskapazitäten für diskrete PowerGaN-Produkte, um die Kundennachfrage nach einem sehr schnellen Hochfahren der Serienfertigung zu erfüllen. Zum Unternehmen gehören 50.000 Mitarbeitende in Entwicklung und Produktion von Halbleitertechnologien, die mit ihren Fertigungsstätten die gesamte Halbleiter-Lieferkette abdecken.


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2024.03.01 09:18 V22.3.47-2