Infineon und SCHWEIZER vertiefen ihre Kooperation
Die Infineon Technologies AG und die Schweizer Electronic AG arbeiten gemeinsam an einem innovativen Ansatz zur Steigerung der Effizienz von Siliziumkarbid (SiC)-Chips.
Dazu entwickeln die Partner eine Lösung, um 1200-V-CoolSiC-Chips von Infineon direkt in Leiterplatten einzubetten. Durch einen höheren Wirkungsgrad könnten so die Reichweite von Elektroautos erhöht und die Gesamtsystemkosten gesenkt werden, heißt es in einer Mitteilung.
Beide Unternehmen haben das Potenzial des neuen Ansatzes bereits unter Beweis gestellt: Sie konnten einen 48 V MOSFET in eine Leiterplatte einbetten. Das habe zu einer Leistungssteigerung von 35 Prozent geführt. SCHWEIZER trage zu diesem Erfolg mit seiner innovativen p² Pack®-Lösung bei, die das Einbetten von Leistungshalbleitern in Leiterplatten ermögliche, heißt es weiter.
„Wir verfolgen gemeinsam das Ziel, die Automotive-Leistungselektronik auf das nächste Level zu heben. Die niederinduktive Umgebung einer Leiterplatte ermöglicht ein sauberes und schnelles Schalten. In Kombination mit der Performance der 1200 V CoolSiC-Produkte ermöglicht die Chipeinbettung hochintegrierte und effiziente Wechselrichter, welche die Gesamtsystemkosten senken“, sagt Robert Hermann, Product Line Head Automotive High-Voltage Discretes and Chips, Infineon.
„Mit den zu 100 Prozent elektrisch getesteten Standardzellen von Infineon können wir hohe Gesamterträge im p² Pack-Fertigungsprozess erzielen. Die schnell schaltenden Eigenschaften der CoolSiC-Chips werden durch die niederinduktive Verschaltung, die mit dem p² Pack erreicht werden kann, optimal unterstützt. Dies führt zu einem höheren Wirkungsgrad und einer verbesserten Zuverlässigkeit von Leistungswandlern wie Traktionswechselrichtern, DC-DC-Wandlern oder On-Board-Chargern“, ergänzt Thomas Gottwald, Vice President Technology der Schweizer Electronic AG.
