ZF schließt mit STMicroelectronics langfristigen Vertrag
Der Technologiekonzern ZF wird von 2025 an Siliziumkarbid-Module von STMicroelectronics beziehen, einem der führenden Halbleiterhersteller. Der auf mehrere Jahre angelegte Vertrag sieht vor, dass ST eine im zweistelligen Millionenbereich liegenden Zahl von Siliziumkarbid-Modulen liefert, die in die 2025 in Serie gehende, neue modulare Wechselrichterarchitektur von ZF integriert werden.
ZF werde sich die Siliziumkarbid-Fertigung von ST in Europa und Asien zunutze machen, um Kundenaufträge im Bereich Elektromobilität abzusichern, heißt es in einer Mitteilung.
„Mit diesem strategisch wichtigen Schritt stärken wir unsere Lieferkette, um unsere Kunden sicher beliefern zu können. Unser Auftragsbuch in der Elektromobilität bis 2030 beläuft sich mittlerweile auf mehr als 30 Milliarden Euro, und für dieses Volumen brauchen wir mehrere zuverlässige Lieferanten von Siliziumkarbid-Chips“, sagt Stephan von Schuckmann, ZF-Vorstandsmitglied und verantwortlich für Elektromobilität und Materialwirtschaft.
Mit STMicroelectronics habe man nunmehr einen Lieferanten gefunden, dessen Erfahrung mit komplexen Systemen den Anforderungen gerecht werde und der die Module vor allem in außergewöhnlich hoher Qualität sowie in den erforderlichen Stückzahlen herstellen könne. Mit dieser Vereinbarung hat ZF zusätzlich zu dem im Februar bekannt gegebenen Partnerschaftsabkommen für Siliziumkarbid-Technologie einen weltweit führenden Lieferanten für diese Technologie gewonnen.
„Als vertikal integriertes Unternehmen investieren wir intensiv in den Ausbau unserer Kapazitäten und unserer Siliziumkarbid-Lieferkette, um unsere globalen und europäischen Kunden im Automobil- und Industriesektor beim Erreichen ihrer Elektrifizierungs- und Dekarbonisierungsziele zu unterstützen“, so Marco Monti, President der Automotive and Discrete Group von STMicroelectronics.
ST wird die Siliziumkarbid-Chips in Produktionsstätten in Italien und Singapur herstellen. Die Chips werden in STPAKs, eine von ST entwickelte Gehäusebauart eingebaut und in Marokko und China getestet.
ST wird ZF von 2025 an mit einer im zweistelligen Millionenbereich liegenden Zahl von Siliziumkarbid-MOSFET-Modulen der dritten Generation beliefern. ZF kann unterschiedlich viele dieser Bauelemente zusammenschalten, um die Leistungsanforderungen der jeweiligen Kunden zu erfüllen, ohne das Wechselrichter-Design ändern zu müssen. ZF wird die Technologie unter anderem in Wechselrichtern für Fahrzeuge eines europäischen Autoherstellers einsetzen, deren Produktionsstart für 2025 geplant ist.
