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Infineon plant Übernahme von GaN Systems

Die Infineon Technologies AG und GaN Systems haben einen Vertrag unterzeichnet, demzufolge Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird. GaN Systems gehört zu den weltweiten Technologieführern bei der Entwicklung von GaN-basierten Lösungen für die Energiewandlung.

Das Unternehmen hat seinen Hauptsitz im kanadischen Ottawa. Zur Zeit sind dort mehr als 200 Mitarbeitende beschäftigt.

„Die GaN-Technologie ebnet den Weg für weitere effiziente und CO 2-sparende Lösungen, die die Dekarbonisierung unterstützen. Anwendungen wie mobiles Laden, Stromversorgung von Rechenzentren, Solarwechselrichter für Privathaushalte und Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge stehen kurz vor dem Durchbruch und führen zu einem dynamischen Marktwachstum“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon. 

Die geplante Übernahme von GaN Systems werde die GaN-Roadmap des Unternehmens dank der F&E-Ressourcen, einem umfassenden Applikations-Verständnis und einer Vielzahl von Kundenprojekten deutlich beschleunigen, heißt es in einer Pressemitteilung.

„Im Einklang mit unserer Strategie stärkt diese Akquisition die Führungsposition von Infineon im Bereich Power-Systems, die wir durch Beherrschung aller relevanten Energietechnologien unterstreichen, sei es auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid“, so Jochen Hanebeck.

„Durch die beiderseitigen Erfahrungen mit hochwertigen Lösungen werden wir das Potenzial von GaN optimal ausschöpfen. Die Foundry-Korridore von GaN Systems und die internen Fertigungskapazitäten von Infineon bieten in ihrer Kombination maximale Wachstumschancen, um den beschleunigten Einsatz von GaN in zahlreichen Zielmärkten zu bedienen. Infineon ermöglicht es uns in seiner Eigenschaft als Integrated Device Manufacturer, unser volles Potenzial ausschöpfen“, sagt Jim Witham, CEO von GaN Systems.

Das Wide-Bandgap-Material GaN bietet Kunden Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierte Größen, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren, wodurch sich GaN für ein breites Anwendungsspektrum eignet. 

Marktanalysten erwarten, dass der Umsatz mit GaN-Produkten für Leistungsanwendungen bis 2027 um 56 Prozent CAGR auf rund zwei 2 Milliarden US-Dollar steigt. Damit entwickelt sich GaN neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen. 

Die geplante Übernahme von GaN Systems wird aus den vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. Die Transaktion unterliegt den üblichen Abschlussbedingungen und behördlichen Genehmigungen.


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2024.02.13 16:53 V22.3.28-2