GlobalFoundries erwirbt Renesas' resistive RAM-Technologie
GlobalFoundries hat die Übernahme der proprietären und produktionserprobten Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM)-Technologie der Renesas Electronics Corporation bekannt gegeben. Dabei handelt es sich um eine stromsparende Speicherlösung, die für eine Reihe von Anwendungen im Bereich IoT und intelligente mobile Geräte entwickelt wurde.
Die Transaktion stärke das Speicherportfolio von GF und erweitere die Roadmap für eingebettete nichtflüchtige Speicherlösungen (NVM) um eine weitere zuverlässige, "Customizable Embedded Memory Solution", die sich relativ einfach in andere Technologieknoten integrieren lasse, schreibt das Unternehmen. Diese Technologie werde es den Kunden ermöglichen, ihre SoC-Designs weiter zu differenzieren und eine neue Generation von sicheren und intelligenten Geräten zu entwickeln.
„Mit dem Erwerb dieser innovativen Speichertechnologie spielt GF nun eine wesentliche Rolle bei der Beschleunigung der Entwicklung von NVM-Lösungen, die es unseren Kunden ermöglichen werden, die nächste Generation intelligenter und vernetzter Geräte zu entwickeln. Die CBRAM-Technologie eröffnet ein neues Paradigma der Leistung und des extrem niedrigen Energieverbrauchs, das es einer Vielzahl von Anwendungen - von Wearables bis hin zu Smartphones - ermöglicht, die Zeit zwischen Batterieladungen von Stunden über Wochen bis hin zu Jahren in bestimmten Anwendungsfällen zu verlängern", so Mike Hogan, Chief Business Officer von GF.
